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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Comprehensive understanding of dark count mechanisms of single-photon avalanche diodes fabricated in deep sub-micron CMOS technologies
    Xu, Yux ; Xiang, Ping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 168-174
    Online unknown
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  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Gate delay variability estimation method for parametric yield improvement in nanometer CMOS technology
    Reis, Andre I. ; Digeorgia N. da Silva ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-09-01), S. 1223-1229
    Online unknown
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    Improving the ability of Bulk Built-In Current Sensors to detect Single Event Effects by using triple-well CMOS
    Rodrigo Possamai Bastos ; Potin, Olivier ; et al.
    2014
    Online unknown
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    Statistical Modeling of Logic Gates and Flip-Flops for High Speed CMOS Circuits Applications
    Gautam, D. K. ; Patil, Siddhasen R.
    In: Silicon, Jg. 9 (2016-10-27), S. 371-378
    Online unknown
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    A unified analytical and scalable lumped model of RF CMOS spiral inductors based on electromagnetic effects and circuit analysis
    Rhallabi, Ahmed ; Salimy, Siamak ; et al.
    2011
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Scalable wideband equivalent circuit model for silicon-based on-chip transmission lines
    Tanh, Lu ; Zhang, Minghui ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 38 (2017-06-01), S. 065004-65004
    Online unknown
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    Elimination of the channel current effect on the characterization of MOSFET threshold voltage using junction capacitance measurements
    Malesinska, Jolanta ; Tomaszewski, Daniel ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 92-101
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Piecewise physical modeling of series resistance and inductance of on-chip interconnects
    Torres-Torres, Reydezel ; Cortes-Hernandez, Diego M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 120 (2016-06-01), S. 1-5
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Thermal Noise in MOSFETs: A Two- or a Three-Parameter Noise Model?
    Vanhoenacker-Janvier, Danielle ; Emam, Mostafa ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-05-01), S. 1188-1191
    Online unknown
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