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    Dirac fermion reflector by ballistic graphene sawtooth-shaped npn junctions.
    Morikawa, Sei ; Wilmart, Quentin ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 32 (2017-04-01), Heft 4, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    RF performance of GaN-based npn bipolar transistors.
    Lee, K. P. ; Dabiran, A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003-09-01), Heft 9, S. 1501-1506
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Low temperature Rdb measurements and simulations for Si npn transistors.
    Nguyen, P. T. ; Yao, S. S. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 36 (1993-06-01), S. 933-935
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Single-Event Upset Mitigation in a Complementary SiGe HBT BiCMOS Technology.
    Lourenco, Nelson E. ; Ildefonso, Adrian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 231-238
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effects of base doping and carrier lifetime on differential current gain and temperature coefficient of 4H-SiC power bipolar junction transistors.
    Niu, X. ; Fardi, H.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 99 (2012-04-01), Heft 4, S. 531-542
    academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Output characteristics of the Dual Channel EST.
    Sridhar, S. ; Baliga, B. J.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 41 (1997-08-01), S. 1133-1138
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    New approach to the manufacturing of power microwave bipolar transistors: A computer simulation.
    Snitovsky, Yu. ; Nelayev, V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 36 (2007-11-18), Heft 6, S. 409-414
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Modeling Total-Dose Effects for a Low-Dropout Voltage Regulator.
    Ramachandran, V. ; Narasimham, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-12-01), Heft 6, S. 3223-3231
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Cryogenic operation of power bipolar transistors.
    Singh, Ranbir ; Baliga, B. J.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 39 (1996), S. 101-108
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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