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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range.
    Rumyantsev, S. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), Heft 1, S. 30-36
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Rational methodological approach to evaluation of dose resistance of CMOS microcircuits with respect to low intensity effects.
    Boychenko, D. ; Kalashnikov, O. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Dominant mechanisms of transient-radiation upset in CMOS RAM VLSI circuits realized in SOS technology
    Kirgizova, A. V. ; Nikiforov, A. Y. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 35 (2006-05-01), Heft 3, S. 162-176
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Fully depleted SOI CMOS logic gates for low-voltage applications
    Masal'skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008-11-01), Heft 6, S. 410-417
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Characteristics of double-gate SOI CMOS nanotransistors for promising technologies with a low power consumption level
    Massal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 42 (2013), S. 40-47
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    CMOS-operational amplifier with n-channel output followers, increased gain, and short settling time.
    Makarov, A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 42 (2013-12-01), Heft 7, S. 408-413
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Single-event-upset susceptibility simulation of sub-1-μm CMOS dual-path inverters.
    Ol'chev, S. ; Stenin, V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-03-01), Heft 2, S. 132-142
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Memory-cell layout as a factor in the single-event-upset susceptibility of submicron dice CMOS SRAM.
    Stenin, V. Ya. ; Cherkasov, I. G.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-05-01), Heft 3, S. 170-175
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Characteristics of double-gate SOI CMOS nanotransistors for promising technologies with a low power consumption level.
    Massal'skii, N.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 42 (2013), Heft 1, S. 40-47
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Comparative analysis of wideband CMOS low-noise amplifiers for the RF range.
    Balashov, E. ; Korotkov, A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008-07-01), Heft 4, S. 264-276
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    serialPeriodical
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    Small-signal optimization approach to design of microwave signal switch ICs on MOS transistors
    Nazarova, G. N. ; Usachev, N. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-09-01), S. 365-369
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Simulation of Single Event Effects in STG DICE Memory Cells.
    Katunin, Yu. V. ; Stenin, V. Ya.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), Heft 1, S. 20-33
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The impact of laser polarization direction on local dose rate effects simulation for modern integrated circuits.
    Skorobogatov, P. ; Sogoyan, A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 22-26
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    The analysis of the performance of nanometer intellectual property blocks based on interval simulation.
    Gavrilov, S. ; Gudkova, O. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 42 (2013-12-01), Heft 7, S. 396-402
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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