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    New Findings in Information Technology Described from International Business Machines Corporation - IBM T.J. Watson Research Center (A Cryo-cmos Low-power Semi-autonomous Transmon Qubit State Controller In 14-nm Finfet Technology)
    In: Information Technology Newsweekly, 2022-10-18, S. 315
    Zeitungsartikel
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    Study Results from International Business Machines Corporation (IBM) Broaden Understanding of Information Technology (Beyond-cmos Roadmap-from Boolean Logic To Neuro-inspired Computing)
    In: Information Technology Newsweekly, 2022-10-04, S. 703
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    International Business Machines Corporation (IBM) Reports Findings in CMOS Technology (Improved Air Spacer for Highly Scaled Cmos Technology)
    In: Information Technology Newsweekly, 2021-01-05, S. 298
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Findings on Applied Physics Discussed by Investigators at International Business Machines Corporation - IBM T.J. Watson Research Center (Plasma Processing for Advanced Microelectronics Beyond Cmos)
    In: Information Technology Newsweekly, 2021-09-21, S. 268
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    International Business Machines Corporation (IBM) Researchers Publish Findings in Electron Devices (Junction Design and Complementary Capacitance Matching for NCFET CMOS Logic)
    In: Information Technology Newsweekly, 2021-08-10, S. 273
    Zeitungsartikel
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    Researchers from International Business Machines Corporation Detail Findings in CMOS Technology (Yield Learning Methodologies and Failure Isolation In Ring Oscillator Circuit for Cmos Technology Research)
    In: Information Technology Newsweekly, 2020-01-14, S. 341
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Reports from International Business Machines Corporation - IBM T.J. Watson Research Center Describe Recent Advances in Solid State Electronics (A 250-mw 60-ghz Cmos Transceiver Soc Integrated With a Four-element Aip Providing Broad Angular Link ...)
    In: Information Technology Newsweekly, 2020-06-30, S. 655
    Zeitungsartikel
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    Recent Findings in Solid State Electronics Described by Researchers from International Business Machines Corporation - IBM T.J. Watson Research Center (Multi-mode 60-ghz Radar Transmitter Soc In 45-nm Soi Cmos)
    In: Information Technology Newsweekly, 2020-06-02, S. 803
    Zeitungsartikel
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    Research Conducted at International Business Machines Corporation (IBM) Has Updated Our Knowledge about Electron Devices (InGaAs FinFETs 3-D Sequentially Integrated on FDSOI Si CMOS With Record Performance)
    In: Information Technology Newsweekly, 2020-02-04, S. 525
    Zeitungsartikel
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    Investigators at International Business Machines Corporation - IBM T.J. Watson Research Center Detail Findings in Solid State Electronics (A 128-gb/s 1.3-pj/b Pam-4 Transmitter With Reconfigurable 3-tap Ffe In 14-nm Cmos)
    In: Information Technology Newsweekly, 2020-01-28, S. 212
    Zeitungsartikel
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    Findings in the Area of Sensor Research Reported from International Business Machines Corporation (Cmos-compatible Wearable Sensors Fabricated Using Controlled Spalling)
    In: Information Technology Newsweekly, 2019-09-17, S. 140
    Zeitungsartikel
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    Toshiba, IBM to jointly develop 32-nm CMOS chip production technology.
    In: Knight Ridder/Tribune Business News, 2007-12-18
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    Patent Application Titled 'Self-Aligned Air Gap Spacer For Nanosheet Cmos Devices' Published Online (USPTO 20180358435)
    In: Information Technology Newsweekly, 2019, S. 3027
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    Patent Issued for Low Resistance Source/Drain Contacts For Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Devices (USPTO 10,141,308)
    In: Information Technology Newsweekly, 2018-12-11
    Zeitungsartikel
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    Patent Application Titled 'Dual Channel Cmos Having Common Gate Stacks' Published Online (USPTO 20180337098)
    In: Information Technology Newsweekly, 2018-12-11
    Zeitungsartikel
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    Researchers Submit Patent Application, 'Patterned Gate Dielectrics For Iii-V-Based Cmos Circuits', for Approval (USPTO 20180308845)
    In: Computer Weekly News, 2018-11-14, S. 8012
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    Patent Issued for Fabricating Raised Source Drain Contacts Of A CMOS Structure (USPTO 10,103,234)
    In: Information Technology Newsweekly, 2018-10-30, S. 4276
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    Patent Application Titled 'Fabricating Raised Source Drain Contacts Of A Cmos Structure' Published Online (USPTO 20180294338)
    In: Information Technology Newsweekly, 2018-10-30, S. 2174
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    Patent Application Titled 'Structure And Method For Multiple Threshold Voltage Definition In Advanced Cmos Device Technology' Published Online (USPTO 20180277540)
    In: Information Technology Newsweekly, 2018-10-16, S. 3711
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    Patent Application Titled 'Nanosheet Cmos Transistors' Published Online (USPTO 20180277628)
    In: Information Technology Newsweekly, 2018-10-16, S. 3348
    Zeitungsartikel
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