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    Design and characterization of high voltage devices integrated in a standard CMOS technology
    VILLARD, B ; CALMON, F ; et al.
    In: EPJ. Applied physics (Print), Jg. 16 (2001), Heft 2, S. 113-120
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Physical and technological limitations of NanoCMOS devices to the end of the roadmap and beyond
    DELEONIBUS, S
    In: EPJ. Applied physics (Print), Jg. 36 (2006), Heft 3, S. 197-214
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    MOSFET modeling and parameter extraction for low temperature analog circuit design
    MARTIN, P ; BUCHER, M ; et al.
    In: Proceedings of the 5th European Workshop on Low Temperature Electronics: WOLTE 5, June 19-21, 2002, Grenoble, France, Jg. 94 (2002), S. 3.51
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dopage laser en microélectronique / Laser doping in microelectronics
    SARNET, T ; HERNANDEZ, M ; et al.
    In: 8ème Colloque national sur les sources cohérentes et incohérentes UV, VUV, Jg. 138 (2006), S. 203-212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    High dielectric constant oxides
    ROBERTSON, J
    In: EPJ. Applied physics (Print), Jg. 28 (2004), Heft 3, S. 265-291
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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