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    Structural analysis of ELO-GaN grown on a sapphire substrate as the underlying layer of a GaN-based laser diode
    Ikeda, Masao ; Miyajima, Takao ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 204 (2007), S. 267-271
    Online unknown
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    Performance Characteristics of UV-C AlGaN-Based Lasers Grown on Sapphire and Bulk AlN Substrates
    Kuhn, Christian ; Weyers, Markus ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 26 (2014-02-01), S. 342-345
    Online unknown
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    Quantum 1/fnoise in epitaxial lateral overgrown GaN: piezoelectric effect
    Hartnagel, Hans L. ; Sia, E. K. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 17 (2002-05-24), S. 617-620
    Online unknown
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    Influence of template properties and quantum well number on stimulated emission from Al0.7Ga0.3N/Al0.8Ga0.2N quantum wells
    Jeschke, Jörg ; Zeimer, Ute ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 33 (2018-02-20), S. 035015-35015
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Resonant cavity light emitting diode and detector using epitaxial liftoff
    Corbett, Brian ; Walsh, S. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 5 (1993-09-01), S. 1041-1043
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Cathodoluminescence intensity and dislocation contrast evolutions under electron beam excitation in epitaxial GaN laterally overgrown on (0001) sapphire
    Farvacque, J.-L. ; Amokrane, A. ; et al.
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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