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    Analysis of High Intensity Radiated Field Coupling into Aircraft Using the Method of Moments
    SCHRÖDER, Arne ; RASEK, Guido A ; et al.
    In: IEEE transactions on electromagnetic compatibility, Jg. 56 (2014), Heft 1, S. 113-122
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Non-selective thin SiGe strain-relaxed buffer layers : Growth and carbon-induced relaxation
    CAYMAX, Matty ; DELHOUGNE, Romain ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 260-265
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Epitaxy solutions for Ge MOS technology
    LEYS, F. E ; BONZOM, R ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 292-296
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Fabrication of 50 nm high performance strained-SiGe pMOSFETs with selective epitaxial growth
    LOO, Roger ; COLLAERT, Nadine ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 292-296
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Development of a new type of SiGe thin strain relaxed buffer based on the incorporation of a carbon-containing layer
    DELHOUGNE, Romain ; MEUNIER-BEILLARD, Philippe ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 91-94
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Characterization of poly(p-phenylene vinylene)/methanofullerene blends of polymer solar cells by time-of-flight secondary ion mass spectrometry
    BULLE-LIEUWMA, C. W. T ; VAN DUREN, J. K. J ; et al.
    In: Secondary ion mass spectrometry SIMS XIV: Proceedings of the Fourteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry and Related Topics, San Diego, California, USA, September 14-19, 2003, Jg. 231-32 (2004), S. 274-277
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Avoiding loading effects and facet growth key parameters for a successful implementation of selective epitaxial SiGe deposition for HBT-BiCMOS and high-mobility hetero-channel pMOS devices
    LOO, Roger ; CAYMAX, Matty
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 24-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A new technique to fabricate ultra-shallow-junctions, combining in situ vapour HCl etching and in situ doped epitaxial SiGe re-growth
    LOO, Roger ; CAYMAX, Matty ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 63-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Tuning Contact Recombination and Open-Circuit Voltage in Polymer Solar Cells via Self-Assembled Monolayer Adsorption at the Organic―Metal Oxide Interface
    HE, WANG ; GOMEZ, Enrique D ; et al.
    In: Journal of physical chemistry. C, Jg. 117 (2013), Heft 40, S. 20474-20484
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    The migration of POSS molecules in PA6 matrix during phase inversion process
    QI, ZHOU ; ZHIQIANG, WANG ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 284 (2013), S. 118-125
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Substrate effects on the surface properties of nylon 6
    QI, ZHOU ; JIANGHUA, FANG ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 282 (2013), S. 115-120
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optical spectroscopy of oxygen precipitates in heavily doped p-type silicon
    SIMOEN, E ; LOO, R ; et al.
    In: Special issue containing papers presented at the Conference on Extended Defects in Semiconductors-2002 (EDS 2002), Bologna, Italy, 1-6 June 2002, Jg. 14 (2002), Heft 48, S. 13185-13193
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Probing the Conformational Transition of 2,2'-Bipyridyl under External Field by Surface-Enhanced Raman Spectroscopy
    ZHIXUN, LUO ; LOO, Boon H ; et al.
    In: Journal of physical chemistry. C, Jg. 116 (2012), Heft 4, S. 2884-2890
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Co-assembly of Zn(SPh)2 and organic linkers into helical and zig-zag polymer chains
    YI, LIU ; YU, Ling-Min ; et al.
    In: Journal of solid state chemistry (Print), Jg. 191 (2012), S. 283-286
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Smooth and high quality epitaxial strained Ge grown on SiGe strain relaxed buffers with 70―85% Ge
    LOO, Roger ; SOURIAU, Laurent ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 324 (2011), Heft 1, S. 15-21
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    XPS and TOFSIMS studies of shallow Si/Si1-xGex/Si layers
    CONARD, T ; DE WITTE, H ; et al.
    In: Proceedings of the Thin Films and Electronic Materials and Processing sessions from the 14th International Vacuum Congress, Birmingham, UK, 31 August-4 September, 1998, Jg. 343-4 (1999), S. 583-586
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High quality, relaxed SiGe epitaxial layers for solar cell application
    SAID, K ; POORTMANS, J ; et al.
    In: E-MRS Spring Conference, Symposium E: Thin Film Materials for Large Area Electronics, Jg. 337 (1999), Heft 1-2, S. 85-89
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Low temperature Si homo-epitaxy by reduced pressure chemical vapor deposition using dichlorosilane, silane and trisilane
    VINCENT, B ; LOO, R ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 19, S. 2671-2676
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Three-dimensional nanoscale organization of polymer solar cells
    VAN BAVEL, Svetlana ; SOURTY, Erwan ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 19 (2009), Heft 30, S. 5388-5393
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Three-Dimensional Nanoscale Organization of Bulk Heterojunction Polymer Solar Cells
    VAN BAVEL, Svetlana S ; SOURTY, Erwan ; et al.
    In: Nano letters (Print), Jg. 9 (2009), Heft 2, S. 507-513
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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