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    MOVPE van der Waals epitaxial growth of AlGaN/AlGaN multiple quantum well structures with deep UV emission on large scale 2D h-BN buffered sapphire substrates
    Voss, Paul L. ; Li, Xin ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 352-356
    Online unknown
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    Silicon surface preparation for III-V molecular beam epitaxy
    Mauguin, Olivia ; Bahri, Mounib ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 413 (2015-03-01), S. 17-24
    Online unknown
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    Suppression of crack generation in AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors grown by MOVPE
    Y. El Gmili ; Abid, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 12-15
    Online unknown
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    Growth of vertical and defect free InP nanowires on SrTiO3(001) substrate and comparison with growth on silicon
    Saint-Girons, Guillaume ; Penuelas, Jose ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 343 (2012-03-01), S. 101-104
    Online unknown
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    Influence of the surface reconstruction on the growth of InP on SrTiO3(001)
    Patriarche, Gilles ; Naji, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-02-01), S. 1042-1045
    Online unknown
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    Buried dislocation networks for the controlled growth of III–V semiconductor nanostructures
    Saint-Girons, Guillaume ; Glas, Frank ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-01), S. e1647- (7S.)
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Investigations on GaAsSbN/GaAs quantum wells for 1.3–1.55μm emission
    Patriarche, Gilles ; Ramos, J ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, 2001-07-01, S. 553-557
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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