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    Contrast of latch-up induced by pulsed gamma rays in CMOS circuits after neutron irradiation and TID accumulation
    Yang, Shanchao ; Chen, Wei ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 98 (2019-07-01), S. 42-48
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    Time of arrival measurement for indoor distance monitoring in 130-nm CMOS
    Banerjee, Gaurab ; Javed S Gaggatur
    In: Measurement, Jg. 146 (2019-11-01), S. 372-379
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    Determination of DC equivalent hot carrier stress times in scaled CMOS devices using novel AC stress methodology
    Kerber, Andreas ; Nigam, T.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 93 (2019-02-01), S. 98-101
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    Radiation-tolerance analysis of I-gate n-MOSFET according to isolation oxide module in the CMOS bulk process
    Cho, Seong-Ik ; Lee, Nam-Ho ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 200 (2018-11-01), S. 45-50
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    A comparative study of lifetime reliability of planar MOSFET and FinFET due to BTI for the 16 nm CMOS technology node based on reaction-diffusion model
    Soin, Norhayati ; Mohamed Mounir Mahmoud
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 97 (2019-06-01), S. 53-65
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    Analysis of 6 T SRAM cell in sub-45 nm CMOS and FinFET technologies
    Cleiton Magano Marques ; Almeida, Roberto B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2018-09-01, S. 196-202
    Online unknown
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    Single-event transient effects on dynamic comparator in 28 nm FDSOI CMOS technology
    Lirida Alves de Barros Naviner ; Cai, Hao ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2018-09-01, S. 965-968
    Online unknown
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    Study of the operation and SET robustness of a CMOS pulse stretching circuit
    Kraemer, Rolf ; Andjelkovic, Marko ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 82 (2018-03-01), S. 100-112
    Online unknown
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    Bias temperature instability in scaled CMOS technologies: A circuit perspective
    Kerber, Andreas ; Nigam, T.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 81 (2018-02-01), S. 31-40
    Online unknown
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    Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)
    Safonov, Sergey O. ; Stakhin, Veniamin G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 79 (2017-12-01), S. 416-425
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Investigation on NBTI-induced dynamic variability in nanoscale CMOS devices: Modeling, experimental evidence, and impact on circuits
    Wang, Yangyuan ; Ren, Pengpeng ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 81 (2018-02-01), S. 101-111
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Exploration of robustness limits and ESD EMI impact in a protection device for advanced CMOS technology
    Schoenmaker, Wim ; Galy, Philippe
    In: Microelectronics Reliability, 2017-09-01, S. 680-684
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    Simulation, characterization and implementation of a new SCR-based device with a turn-off capability for EOS-immune ESD power supply clamps in advanced CMOS technology nodes
    Guitard, Nicolas ; Galy, Philippe ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 85 (2018-06-01), S. 176-189
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Enabling robust automotive electronic components in advanced CMOS nodes
    Huard, Vincent ; Bravaix, Alain ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2017-09-01, S. 13-24
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    Single Event Effects in 0.18 μm Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SEU and SEFI
    Feng, Jie ; Zhou, Dong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 117 (2021-02-01), S. 114038-114038
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Nonlinear error analysis and calibration model for cyclic ADCs in large array CMOS image sensors
    Xu, Jiangtao ; Gao, Zhiyuan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 117 (2021-02-01), S. 114036-114036
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Comprehensive understanding of dark count mechanisms of single-photon avalanche diodes fabricated in deep sub-micron CMOS technologies
    Xu, Yux ; Xiang, Ping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 168-174
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A high-speed lateral PIN polysilicon photodiode on standard bulk CMOS process
    Chen, Diping ; Zeng, Yun ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 61-65
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Aging comparative analysis of high-performance FinFET and CMOS flip-flops
    Rahebeh Niaraki Asli ; Taghipour, Shiva
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 69 (2017-02-01), S. 52-59
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    The impact of BTI aging on the reliability of level shifters in nano-scale CMOS technology
    Rossi, Daniele ; Halak, Basel ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 67 (2016-12-01), S. 74-81
    Online unknown
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