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    Impact of Channel, Stress-Relaxed Buffer, and S/D Si1−xGe x Stressor on the Performance of 7-nm FinFET CMOS Design with the Implementation of Stress Engineering
    Othman, N. A. F. ; Sharifah Wan Muhamad Hatta ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 47 (2018-01-16), S. 2337-2347
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    Sequential IRMPD of XGe(OEt)4− ions: Gas-phase synthesis of novel oxy-germanium anions
    Xavier, Luciano A. ; Riveros, José M. ; et al.
    In: International Journal of Mass Spectrometry, Jg. 306 (2011-09-01), S. 219-226
    Online unknown
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    Measurement of the direct energy gap of coherently strained Sn_xGe_(1–x)/Ge(001) heterostructures
    Ragan, Regina ; Atwater, Harry A.
    2000
    Online unknown
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    Theoretical study of the optical properties of Si<SUB align='right'>1−xGe<SUB align='right'>xalloy, and Si/Ge and Ge/Si core/shell nanoparticles
    Chehaidar, A. ; Jdidi, Haytham
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 12 (2015), S. 663-663
    Online unknown
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    SiGe: An attractive material for post-CMOS processing of MEMS
    Sedky, Sherif
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-11-01), S. 2491-2500
    Online unknown
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    [Untitled]
    Bonar, Janet M. ; Willoughby, Arthur F. W. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 10 (1999), S. 339-343
    Online unknown
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    Silicon-germanium interdiffusion in high-germanium-content epitaxial heterostructures
    McIntyre, Paul C. ; Ozguven, Nevran
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-05-05), S. 181907-181907
    Online unknown
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    Optical and electronic properties of orthorhombic and trigonal AXO(3) (A=Cd, Zn; X=Sn, Ge): First principle calculation
    Mamedov, Amirullah M. ; Ozisik, Haci ; et al.
    2016
    Online unknown
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    Volltext
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    Excitonic properties of ordered and disordered SiGe nanocrystals
    E. L. de Oliveira ; Albuquerque, Eudenilson L. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 40 (2009-04-01), S. 762-765
    Online unknown
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    Epitaxial growth of Si1-x-yGexCy by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition using disilane, germane and acetylene
    Tatsumi, Toru ; Hiroi, Masayuki
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 150 (1995-05-01), S. 1005-1010
    Online unknown
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    Enhanced Si–Ge interdiffusion in high phosphorus-doped germanium on silicon
    Guangrui Maggie Xia ; Yew Heng Tan ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 30 (2015-08-18), S. 105008-105008
    Online unknown
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    A comparative 1/f noise study of GeOI wafers obtained by the Ge enrichment technique and the Smart Cut technology
    J. El Husseini ; Bawedin, Maryline ; et al.
    2011
    Online unknown
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    On the role and modeling of compressive strain in Si-Ge interdiffusion for SiGe heterostructures
    Hoyt, Judy L. ; Guangrui Maggie Xia ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 29 (2013-12-20), S. 015012-15012
    Online unknown
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