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    Design of a 60-GHz High-Output Power Stacked- FET Power Amplifier Using Transformer-Based Voltage-Type Power Combining in 65-nm CMOS
    Chou, Cheng-Feng ; Wang, Huei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 66 (2018-10-01), S. 4595-4607
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    Single-event transient effects on dynamic comparator in 28 nm FDSOI CMOS technology
    Lirida Alves de Barros Naviner ; Cai, Hao ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2018-09-01, S. 965-968
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    Matching Condition of Direct THz-Signal Detection from On-Chip Resonating Antennas with CMOS Transistors in Non-resonant Plasma Wave Mode
    Seong Chu Lim ; Hong, Songcheol ; et al.
    In: Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, Jg. 39 (2018-04-20), S. 521-534
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    A 21-dBm $I/Q$ Digital Transmitter Using Stacked Output Stage in 28-nm Bulk CMOS Technology
    Wambacq, Piet ; Craninckx, Jan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 65 (2017-11-01), S. 4744-4757
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    A CMOS Antiphase Power Amplifier With an MGTR Technique for Mobile Applications
    Yoo, Jinho ; Park, Jonghoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 65 (2017-11-01), S. 4645-4656
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    A −2.5-dBm, 5.1%-Tuning-Range, 417-GHz Signal Source With Gate-to-Drain-Coupled Oscillator in 65-nm CMOS Process
    Thanh Dat Nguyen ; Hong, Jong-Phil
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018-11-01), S. 1023-1025
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    Dual-Mode CMOS Power Amplifier Based on Load-Impedance Modulation
    Chae, Seunghwan ; Yang, Youngoo ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018-11-01), S. 1041-1043
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    The (R)evolution of Distributed Amplifiers: From Vacuum Tubes to Modern CMOS and GaN ICs
    Robert Bogdan Staszewski ; Nikandish, Gholamreza ; et al.
    In: IEEE Microwave Magazine, Jg. 19 (2018-06-01), S. 66-83
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    15 GHz Doherty Power Amplifier With RF Predistortion Linearizer in CMOS SOI
    Asbeck, Peter M. ; Jayamon, Jefy A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 66 (2018-03-01), S. 1339-1348
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    High-Power and High-Efficiency Millimeter-Wave Harmonic Oscillator Design, Exploiting Harmonic Positive Feedback in CMOS
    Momeni, Omeed ; Kananizadeh, Rouzbeh
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 65 (2017-10-01), S. 3922-3936
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    Design of an EMI Self-Immune VML Transmitter in 0.18-$\mu$ m CMOS
    Matig-a, Gilbert E. ; Redoute, Jean-Michel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 59 (2017-10-01), S. 1646-1649
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    A Ka -Band Transformer-Based Doherty Power Amplifier for Multi-Gb/s Application in 90-nm CMOS
    Wang, Huei ; Lin, Jung-Lin ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018-12-01), S. 1134-1136
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    57–67-GHz Highly Compact Bidirectional 3-Bit Phase Shifter in 28-nm CMOS
    Elkind, Jenia ; Socher, Eran ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018-11-01), S. 1017-1019
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    60-GHz Power Amplifier in 45-nm SOI-CMOS Using Stacked Transformer-Based Parallel Power Combiner
    Fang, Xiaohu ; Xia, Jingjing ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018-08-01), S. 711-713
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    A 280-/300-GHz Three-Stage Amplifiers in 65-nm CMOS With 12-/9-dB Gain and 1.6/1.4% PAE While Dissipating 17.9 mW
    Hong, Jong-Phil ; Park, Dae-Woong ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018), S. 79-81
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    Low-Phase-Noise 54-GHz Transformer-Coupled Quadrature VCO and 76-/90-GHz VCOs in 65-nm CMOS
    Morgan, Mark W. ; Fan, Yanli ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 64 (2016-07-01), S. 2091-2103
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    A High Linearity 24-GHz Down-Conversion Mixer Using Distributed Derivative Superposition Technique in 0.18- $\mu \text{m}$ CMOS Process
    Lin, Yu-Hsuan ; Lin, Hung-Hao ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018), S. 49-51
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    Ionizing radiation damage in 65 nm CMOS technology: Influence of geometry, bias and temperature at ultra-high doses
    Michelis, Stefano ; Borghello, Giulio ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 116 (2021), S. 114016-114016
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    CMOS Cross-Coupled Oscillator Operating Close to the Transistor’s $f_{\max }$
    Chi, Baoyong ; Meng, Xiangyu ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 27 (2017-12-01), S. 1131-1133
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    CMOS Integrated Lock-in Readout Circuit for FET Terahertz Detectors
    Perenzoni, Daniele ; Perenzoni, Matteo ; et al.
    In: Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, Jg. 38 (2017-02-25), S. 679-688
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