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    Thin epitaxial si films as a passivation method for Ge(100) : Influence of deposition temperature on ge surface segregation and the high-k/Ge interface quality
    LEYS, F. E ; BONZOM, R ; et al.
    In: E-MRS 2006 Symposium T : Germanium based semiconductors from materials to devices, Jg. 9 (2006), Heft 4-5, S. 679-684
    Konferenz
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    The formation of crystalline P3HT fibrils upon annealing of a PCBM:P3HT bulk heterojunction
    SAVENIJE, Tom J ; KROEZE, Jessica E ; et al.
    In: Proceedings of Symposium F on Thin Film and Nanostructured Materials for Photovoltaics, EMRS 2005 Conference, Strasbourg, France, May 31-June 3, Jg. 511-12 (2006), S. 2-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Radiation damage in electron-irradiated strained Si n-MOSFETs
    TAKAKURA, K ; OHYAMA, H ; et al.
    In: E-MRS 2006 Symposium T : Germanium based semiconductors from materials to devices, Jg. 9 (2006), Heft 4-5, S. 732-736
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Polymeric nanocoatings by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD)
    LAU, Kenneth K. S ; YU, MAO ; et al.
    In: Proceedings of the Third International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, Utrecht, The Netherlands, August 23-27, 2004, Jg. 501 (2006), Heft 1-2, S. 211-215
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Non-selective thin SiGe strain-relaxed buffer layers : Growth and carbon-induced relaxation
    CAYMAX, Matty ; DELHOUGNE, Romain ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 260-265
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxy solutions for Ge MOS technology
    LEYS, F. E ; BONZOM, R ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 292-296
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Characteristics of selective epitaxial SiGe deposition processes for recessed source/drain applications
    LOO, Roger ; VERHEYEN, Peter ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 266-269
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of 50 nm high performance strained-SiGe pMOSFETs with selective epitaxial growth
    LOO, Roger ; COLLAERT, Nadine ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 292-296
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Development of a new type of SiGe thin strain relaxed buffer based on the incorporation of a carbon-containing layer
    DELHOUGNE, Romain ; MEUNIER-BEILLARD, Philippe ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 91-94
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Characterization of poly(p-phenylene vinylene)/methanofullerene blends of polymer solar cells by time-of-flight secondary ion mass spectrometry
    BULLE-LIEUWMA, C. W. T ; VAN DUREN, J. K. J ; et al.
    In: Secondary ion mass spectrometry SIMS XIV: Proceedings of the Fourteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry and Related Topics, San Diego, California, USA, September 14-19, 2003, Jg. 231-32 (2004), S. 274-277
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Avoiding loading effects and facet growth key parameters for a successful implementation of selective epitaxial SiGe deposition for HBT-BiCMOS and high-mobility hetero-channel pMOS devices
    LOO, Roger ; CAYMAX, Matty
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 24-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A new technique to fabricate ultra-shallow-junctions, combining in situ vapour HCl etching and in situ doped epitaxial SiGe re-growth
    LOO, Roger ; CAYMAX, Matty ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 63-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    An (un)solvable problem in SIMS: B-interfacial profiling
    VANDERVORST, W ; JANSSENS, T ; et al.
    In: Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS XIII: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry and Related Topics Nara-Ken New Public Hall, Jg. 203-04 (2003), S. 371-376
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    XPS and TOFSIMS studies of shallow Si/Si1-xGex/Si layers
    CONARD, T ; DE WITTE, H ; et al.
    In: Proceedings of the Thin Films and Electronic Materials and Processing sessions from the 14th International Vacuum Congress, Birmingham, UK, 31 August-4 September, 1998, Jg. 343-4 (1999), S. 583-586
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High quality, relaxed SiGe epitaxial layers for solar cell application
    SAID, K ; POORTMANS, J ; et al.
    In: E-MRS Spring Conference, Symposium E: Thin Film Materials for Large Area Electronics, Jg. 337 (1999), Heft 1-2, S. 85-89
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The vertical heterojunction MOSFET
    DE MEYER, K ; CAYMAX, M ; et al.
    In: E-MRS Spring Conference, Symposium D: Thin Films Epitaxial Growth and Nanostructures, Jg. 336 (1998), Heft 1-2, S. 299-305
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Influence of grown-in defects on the optical and electrical properties of Si/Si1-xGex/Si heterostructures
    LOO, R ; CAYMAX, M ; et al.
    In: E-MRS Spring Conference, Symposium D: Thin Films Epitaxial Growth and Nanostructures, Jg. 336 (1998), Heft 1-2, S. 227-231
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The Kirkendall effect in multiphase diffusion
    PAUL, A ; VAN DAL, M. J. H ; et al.
    In: Acta materialia, Jg. 52 (2004), Heft 3, S. 623-630
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Bifurcation of the Kirkendall plane during interdiffusion in the intermetallic compound β-NiAl
    PAUL, A ; KODENTSOV, A. A ; et al.
    In: Acta materialia, Jg. 52 (2004), Heft 13, S. 4041-4048
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Influence of low energy ion implantation on mechanical properties of magnetron sputtered metastable (Cr, A1)N thin films
    ULRICH, S ; HOLLECK, H ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 437 (2003), Heft 1-2, S. 164-169
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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