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    All CVD Boron Nitride Encapsulated Graphene FETs With CMOS Compatible Metal Edge Contacts
    Pandey, H. ; Shaygan, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4129-4134
    Online academicJournal
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    Effect of Temperature and Humidity on $\hbox{NO}_{2}$ and $\hbox{NH}_{3}$ Gas Sensitivity of Bottom-Gate Graphene FETs Prepared by ICP-CVD
    Kim, C. H. ; Yoo, S. W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-07-01), Heft 7, S. 1084-1086
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Enhanced Current Drivability of CVD Graphene Interconnect in Oxygen-Deficient Environment
    Kang, C. G. ; Lee, S. K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), Heft 11, S. 1591-1593
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Advanced process control of a CVD tungsten reactor
    Stefani, J.A. ; Poarch, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 9 (1996-08-01), Heft 3, S. 366-383
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Breakdown Current Density of CVD-Grown Multilayer Graphene Interconnects
    Lee, K. J. ; Chandrakasan, A. P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-04-01), Heft 4, S. 557-559
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    CVD diamond films for radiation detection
    Foulon, F. ; Pochet, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 41 (1994-08-01), Heft 4, S. 927-932
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A selective CVD tungsten-strapped polysilicon local interconnection technology
    Lee, V.V. ; Kuehne, S.C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993-07-01), Heft 7, S. 1223-1230
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Electrical characteristics of aluminum-CVD diamond-silicon structures
    Alam, M. ; Gomez-Yanez, C.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993-08-01), Heft 8, S. 1554-1556
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Breakdown Strength and Energy Density Improvement of Polypropylene by Parylene Deposition for Film Capacitor
    Liu, H. ; Du, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, Jg. 29 (2022-06-01), Heft 3, S. 981-989
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Characterization of semiconducting iron disilicide obtained by LRP/CVD
    Regolini, J. ; Trincat, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992), Heft 1, S. 200-201
    Online academicJournal
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    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Thermal Modeling of GaN HEMT Devices With Diamond Heat-Spreader
    Mahrokh, M. ; Yu, H. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 986-991
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High T/sub c/ BiSrCaCuO superconductor grown by CVD technique
    Ihara, M. ; Kimura, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 25 (1989-03-01), Heft 2, S. 2470-2473
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Low Contact Resistivity to Ge Using In-Situ B and Sn Incorporation by Chemical Vapor Deposition
    Tsai, C. ; Lu, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 5053-5058
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    IIB-4 properties and deposition of low-pressure CVD tungsten-silicon films
    Monnig, K.A. ; Brors, D.L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 31 (1984-12-01), Heft 12, S. 1965-1966
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effect of Temperature and Humidity on \NO2 and \NH3 Gas Sensitivity of Bottom-Gate Graphene FETs Prepared by ICP-CVD.
    Kim, Chang-Hee ; Yoo, Sung-Won ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-07-01), Heft 7, S. 1084-1086
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Thermo-electric characterization of APCVD PolySi/sub 0.7/Ge/sub 0.3/ for IC-compatible fabrication of integrated lateral Peltier elements
    Wijngaards, D.D.L. ; Wolffenbuttel, R.F.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-05-01), Heft 5, S. 1014-1025
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Reducing dark current in a high-speed Si-based interdigitated trench-electrode MSM photodetector
    Lin, Cha-Shin ; Chang, Yun-Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-05-01), Heft 5, S. 1306-1313
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Effect of plasma deposited thin carbon layer on dielectric characteristics of Au-PI-Au structures
    Koseoglu, M. ; Alisoy, H.Z.
    In: IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, Jg. 19 (2012-12-01), Heft 6, S. 2137
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Graphene-Based Heat Spreader for Flexible Electronic Devices
    Bae, S. ; Shabani, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 12, S. 4171-4171
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Preparation of High Conductivity Hydrogenated Silicon-Doped Diamond and MOSFET
    He, Q. ; Zhang, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 2329-2334
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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