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    Ultrathin plasma nitrided oxide gate dielectrics for sub-100 nm generation CMOS technology
    JEON, Joong ; YEH, Ping ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 287-292
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Poly-Si gate CMOS with hafnium silicate gate dielectric
    HOBBS, Christopher ; GRANT, John ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 361-366
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Rapid thermal process atomic layer deposition of high dielectric constant ultrathin ZrO2 for sub 65nm silicon CMOS technology
    FAKHRUDDIN, M ; SINGH, R ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 281-285
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Performance of nitrided Hf-silicate high-K gate dielectrics
    JEON, Joong ; QI, XIANG ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 451-457
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Silicon damage and dopant behavior studies of rapidly thermally processed arsenic-implanted silicon
    GIRGINOUDI, D ; GEORGOULAS, N ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 397-402
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Rapid thermal annealing of atomic layer deposited hafnium-silicate / poly-silicon layers
    RITTERSMA, Z. M ; MASSOUBRE, D ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 273-280
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of HFO2 dielectrics for inter-poly dielectrics and metal-insulator-metal capacitors
    PERNG, Tsu-Hsiu ; CHIEN, Chao-Hsin ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 465-469
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth and characterization of Al2O3:HfO2nanolaminate films deposited by atomic layer deposition
    D'EMIC, C ; GUSEV, E. P ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 217-224
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of thermal annealing on MIST-deposited HFSIO4/SIOX/SI structures
    CHANG, K ; LEE, D.-O ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 429-435
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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