Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
97 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Sprache

Geographischer Bezug

97 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    High-temperature MBE growth of Si-Direct current heating effects on (111) and (001) vicinal surfaces
    STOYANOV, S. S ; ICHIKAWA, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 32 (1993), Heft 5A, S. 2047-2051
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    TEM Moiré pattern and scanning Auger electron miscroscope analysis of anomalous Si incorporation into MBE-grown Ge on Si(111)
    SUGII, K ; ISHIZAWA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 10, S. 3296-3300
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during Si MBE growth on HF-treated Si(111) surface
    KUMAGAI, Y ; MATSUMOTO, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 8A, S. L1103- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Interdiffusion of Si and Ge atoms during gas-source MBE of Ge on Si(100) at 500-800°C
    SUEMITSU, M ; CHIBA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 9, S. L1591- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Positron study of vacancy-type defects induced by heavy doping into MBE-grown GaAs
    UEDONO, A ; TANIGAWA, S
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 2, S. L346- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Ultra-high throughput of GaAs and (AlGa)As layers grown by molecular beam epitaxy (MBE) with a specially designed MBE system
    SONODA, T ; ITO, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 3, S. 337-343
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Accommodation of large lattice mismatch of GaP on GaAs(100) and GaAs on GaP(100) layers grown by MBE
    NOMURA, T ; MAEDA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 908-911
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Misfit dislocation structures at MBE-grown Si1-xGex/Si interfaces
    FUKUDA, Y ; KOHAMA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 9, S. 1593-1598
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    MBE growth of GaAs1-xSbx and InyGa1-yAs and application of BCF theory to study the alloy composition
    MOCHIZUKI, K ; NISHINAGA, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 9, S. 1585-1592
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Highly uniform, high-purity GaAs epitaxial layer grown by MBE using triethylgallium and arsenic
    SAITO, J ; ONO, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 6, S. L1144- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Growth modes of MBE and SPE in the heteroepitaxy of a NiSi2 layer on Si(111) substrate
    ISHIZAKA, A
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 6, S. 883-891
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during GexSi1-x MBE growth on Si(001) substrates
    SAKAMOTO, K ; SAKAMOTO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 5, S. 666-670
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    RHEED observation on (001)ZnSe surface: MBE surface phase diagram and kinetic behavior of Zn and Se adatoms
    MENDA, K ; TAKAYASU, I ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 8, S. L1326- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Observation of transient behavior of GaAs MBE growth by RHEED oscillation
    SUGIURA, H ; KAWASHIMA, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 12, S. 1847-1850
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    An indium-free MBE growth of AlGaAs/GaAs HBTs
    ITO, H ; ISHIBASHI, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 3, S. 439-443
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The growth of single crystal of 3C-SiC on the Si substrate by the MBE method using multi electron beam heating
    KANEDA, S ; SAKAMOTO, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 9, S. 1307-1311
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Simultaneous observation of RHEED oscillation during GaAs MBE growth with modulated electron beam
    SUGIURA, H ; KAWASHIMA, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 6, S. 847-851
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Reduction of a highly-resistive layer at an interrupted-interface of GaAs grown by MBE
    IIMURA, Y ; TAKASUGI, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 1, S. 95-98
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Measurement of elastic constants of MBE grown (Ga0.5Al0.5)As mixed thin film crystal by diffuse X-ray scattering
    KASHIWAGURA, N ; KASHIHARA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 9, S. 1317-1322
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Be doping effect on growth kinetics of GaAs grown by MBE
    IIMURA, Y ; KAWABE, M
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 1, S. L81- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -