Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
79 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Sprache

79 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Lateral and Vertical Scaling of In0.7Ga0.3As HEMTs for Post-Si-CMOS Logic Applications
    KIM, Dae-Hyun ; DEL ALAMO, Jesus A
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 10, S. 2546-2553
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    SPICE models of fluorine-ion-irradiated CMOS devices
    MEBRAHTU, Henok T ; WEI, GAO ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 8, S. 1963-1971
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Leakage power analysis of 25-nm double-gate CMOS devices and circuits
    KIM, Keunwoo ; DAS, Koushik K ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 5, S. 980-986
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Thick-strained-Si/SiGe CMOS technology with selective-epitaxial-Si shallow-trench isolation
    MIYAMOTO, Masafumi ; SUGII, Nobuyuki ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 9, S. 2460-2465
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    CMOS device and circuit degradations subject to HfO2 gate breakdown and transient charge-trapping effect
    CHUANZHAO, YU ; YUAN, J. S
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 1, S. 59-67
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Thin-BOX Poly-Si Thin-Film Transistors for CMOS-Compatible Analog Operations
    SOO YOUN, KIM ; BAYTOK, Selin ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 6, S. 1687-1695
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Modeling Interconnects for Post-CMOS Devices and Comparison With Copper Interconnects
    RAKHEJA, Shaloo ; NAEEMI, Azad
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 5, S. 1319-1328
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Power-Rail ESD Clamp Circuit With Diode-String ESD Detection to Overcome the Gate Leakage Current in a 40-nm CMOS Process
    ALTOLAGUIRRE, Federico Agustin ; KER, Ming-Dou
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 10, S. 3500-3507
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    eLeNA: A Parametric CMOS Active-Pixel Sensor for the Evaluation of Reset Noise Reduction Architectures
    ANAXAGORAS, Thalis ; KENT, Paul ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2163-2175
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Impact of Gate Leakage on Performances of Phase-Locked Loop Circuit in Nanoscale CMOS Technology
    CHEN, Jung-Sheng ; KER, Ming-Dou
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 56 (2009), Heft 8, S. 1774-1779
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Power-Rail ESD Clamp Circuit With Ultralow Standby Leakage Current and High Area Efficiency in Nanometer CMOS Technology
    YEH, Chih-Ting ; KER, Ming-Dou
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 10, S. 2626-2634
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Resistor-Less Design of Power-Rail ESD Clamp Circuit in Nanoscale CMOS Technology
    YEH, Chih-Ting ; KER, Ming-Dou
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 12, S. 3456-3463
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    On the Suitability of a High-κ Gate Dielectric in Nanoscale FinFET CMOS Technology
    AGRAWAL, Shishir ; FOSSUM, Jerry G
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 7, S. 1714-1719
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A comparative study of HfTaON/SiO2 and HfON/SiO2gate stacks with TaN metal gate for advanced CMOS applications
    XIONGFEI, YU ; MINGBIN, YU ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 2, S. 284-290
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Sub-400 °C Si2H6 Passivation, HfO2 Gate Dielectric, and Single TaN Metal Gate: A Common Gate Stack Technology for In0.7Ga0.3As and Ge1―xSnx CMOS
    XIAO, GONG ; GENQUAN, HAN ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 5, S. 1640-1648
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High-Voltage CMOS ESD and the Safe Operating Area
    WALKER, Andrew J ; PUCHNER, Helmut ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 56 (2009), Heft 8, S. 1753-1760
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Optimization of embedded compact nonvolatile memories for sub-100-nm CMOS generations
    AKIL, Nader ; VAN DUUREN, Michiel ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 4, S. 492-499
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Off-state current and performance analysis for double-gate CMOS with non-self-aligned back gate
    KIM, Keunwoo ; HANAFI, Hussein I ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 9, S. 2104-2107
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Process-Variation Effect, Metal-Gate Work-Function Fluctuation, and Random-Dopant Fluctuation in Emerging CMOS Technologies
    YIMING, LI ; HWANG, Chih-Hong ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 2, S. 437-447
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    MOSFET ESD breakdown modeling and parameter extraction in advanced CMOS technologies
    VASSILEV, Vesselin ; LORENZINI, Martino ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 9, S. 2108-2117
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -