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    Microstructures of two-step facet-controlled ELO-GaN grown by MOVPE method- effect of mask geometry
    HORIBUCHI, K ; KUWANO, N ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1070-1074
    Konferenz
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    Electron microscopy analyses of microstructures in ELO-GaN
    KUWANO, Noriyuki ; HORIBUCHI, Kayo ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1047-1054
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Carrier-gas dependence of ELO GaN grown by hydride VPE
    MIYAKE, H ; BOHYAMA, S ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1055-1059
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of the epitaxial-lateral-overgrowth (ELO) process for GaN on sapphire
    ZHONGHAI, YU ; JOHNSON, M. A. L ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 333-339
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A novel method to grow high quality In1-xGaxAs ELO and bridge layers with high indium compositions
    BALAKRISHNAN, K ; IIDA, S ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1525-1530
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    X-ray diffraction studies of epitaxial laterally overgrown (ELOG) GaN layers on sapphire substrates
    DOMAGALA, J. Z ; ZYTKIEWICZ, Z. R ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 245 (2002), Heft 1-2, S. 37-49
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Pulsed epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapour phase epitaxy
    LIU, C ; SHIELDS, P. A ; et al.
    In: First International Symposium on Growth of Nitrides (ISGN-1), Linköping, 4-7 June 2006, Jg. 300 (2007), Heft 1, S. 104-109
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial lateral overgrowth of GaN on selected-area Si(1 1 1) substrate with nitrided Si mask
    NAOI, Hiroyuki ; NARUKAWA, Mitsuhisa ; et al.
    In: ICMOVPE-XI: Proceedings of the Eleventh International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Berlin, Germany, 3-7 June 2002, Jg. 248 (2003), S. 573-577
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impurity incorporation in epitaxially laterally overgrown GaN detected by cryogenic photoluminescence microscope with sub-micron spatial resolution
    YOSHIMOTO, Masahiro ; SARAIE, Junji ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1075-1078
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Crystallographic orientation dependence of impurity incorporation during epitaxial lateral overgrowth of InP
    SUN, Y. T ; ANAND, S ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1418-1422
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Structural characterization of epitaxial lateral overgrown GaN on patterned GaN/GaAs(001) substrates
    SHEN, X. M ; FU, Y ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 246 (2002), Heft 1-2, S. 69-72
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    InGaP lattice-mismatched LPE growth on GaAs substrates by epitaxial lateral overgrowth technique
    NAKAYAMA, S ; KANEKO, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 236 (2002), Heft 1-3, S. 132-136
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Area-selective epitaxy and epitaxial lateral overgrowth of InP by liquid phase epitaxy on three integral axes
    OYAMA, Yutaka ; KOCHIYA, Toshio ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 245 (2002), Heft 3-4, S. 181-192
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Mass transport in the epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride
    MITCHELL, Christine C ; COLTRIN, Michael E ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 222 (2001), Heft 1-2, S. 144-153
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Epitaxial lateral overgrowth of cubic GaN by metalorganic chemical vapor deposition
    YI, FU ; HUI, YANG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 225 (2001), Heft 1, S. 45-49
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Growth of high-quality GaN by low-pressure metal-organic vapour phase epitaxy (LP-MOVPE from 3D islands and lateral overgrowth
    LAHRECHE, H ; VENNEGUES, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 205 (1999), Heft 3, S. 245-252
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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