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    Influence of growth temperature on the microcrystallinity and native defect structure of hydrogenated amorphous silicon
    HÄRTING, M ; BRITTON, D. T ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 103-107
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dynamics of low temperature PECVD growth of microcrystalline silicon thin films : Impact of substrate surface treatments
    LOSURDO, M ; GIANGREGORIO, M. M ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 906-910
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The nc-Si films with controlled crystal structure and electrical conductivity via the re-crystallization approach
    FEI, YANG ; XIANG, LI ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 359 (2013), S. 40-45
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Transition from amorphous to microcrystalline Si:H: effects of substrate temperature and hydrogen dilution
    RAY, S ; MUKHOPADHYAY, S ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part B, Jg. 299302 (2002), S. 761-766
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Crystallization of amorphous silicon-germanium films deposited by low pressure chemical vapor deposition
    GUILLET, D ; SARRET, M ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 266-69 (2000), S. 689-693
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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