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    Low energy ion implantation and electrochemical separation of diamond films
    MARCHYWKA, M ; PEHRSSON, P. E ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 25, S. 3521-3523
    Online academicJournal
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    Ge segregation in SiGe/Si heterostructures and its dependence on deposition technique and growth atmosphere
    GRÜTZMACHER, D. A ; SEDGWICK, T. O ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2531-2533
    Online academicJournal
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    Combustion chemical vapor deposition : a novel thin-film deposition technique
    HUNT, A. T ; CARTER, W. B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 2, S. 266-268
    Online academicJournal
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    Heteroepitaxially grown diamond on a c-BN {111} surface
    LONG, WANG ; PIROUZ, P ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 10, S. 1336-1338
    Online academicJournal
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    Free-standing single-crystalline chemically vapor deposited diamond films
    TZENG, Y ; WEI, J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 16, S. 2216-2218
    Online academicJournal
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    Homoepitaxial growth of diamond thin films by electron cyclotron-resonance microwave plasma chemical-vapor-deposition apparatus with CO/H2 gaseous source
    KOMORI, M ; MAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 582-584
    Online academicJournal
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    Formation of compositionally uniform tungsten silicide films using dichlorosilane in a single-wafer reactor
    TELFORD, S. G ; EIZENBERG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 15, S. 1766-1768
    Online academicJournal
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    Structure of (001) GaAs surfaces during epitaxial growth by organometallic chemical vapor deposition
    KAMIYA, I ; TANAKA, H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 23, S. 3206-3208
    Online academicJournal
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    Scaleable stagnation-flow reactors for uniform materials deposition : application to combustion synthesis of diamond
    MCCARTHY, K. F ; MEEKS, E ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 11, S. 1498-1500
    Online academicJournal
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    Rapid thermal low pressure metalorganic chemical vapor deposition of In0.53Ga0.47As films using tertiarylbutylarsine
    KATZ, A ; FEINGOLD, A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 19, S. 2679-2681
    Online academicJournal
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    Nucleation and growth of hydrogenated amorphous silicon-carbon alloys : effect of hydrogen dilution in plasma-enhanced chemical vapor deposition
    YIWEI, LU ; ILSIN, AN ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 16, S. 2228-2230
    Online academicJournal
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    Model for the vaporization of mixed organometallic compounds in the metalorganic chemical vapor deposition of high temperature superconducting films
    GUANGYAO, MENG ; GANG, ZHOU ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 14, S. 1981-1983
    Online academicJournal
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    Low-temperature rapid thermal low pressure metalorganic chemical vapor deposition of Zn-doped InP layers using tertiarybutylphosphine
    KATZ, A ; FEINGOLD, A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2546-2548
    Online academicJournal
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    High-resolution electron microscopic study of the interface between diamond film and its substrate
    JIANG, N ; ZHANG, Z ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 3, S. 328-330
    Online academicJournal
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    Growth of undoped polycrystalline Si by an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition system
    HORNG-CHIH, LIN ; HSIAO-YI, LIN ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 10, S. 1351-1353
    Online academicJournal
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    Growth of crystalline 3C-SiC on Si at reduced temperatures by chemical vapor deposition from silacyclobutane
    STECKL, A. J ; YUAN, C ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 24, S. 3347-3349
    Online academicJournal
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    Growth of InP epitaxial layers by rapid thermal low pressure metalorganic chemical vapor deposition, using tertiarybutylphosphine
    KATZ, A ; FEINGOLD, A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 21, S. 2958-2960
    Online academicJournal
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    Evidence for step flow growth of Bi-Sr-Ca-Cu-O thin films on vicinal substrates by metalorganic chemical vapor deposition
    SUGIMOTO, T ; KUBOTA, N ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 19, S. 2697-2699
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    Epitaxial LiTaO3 thin film by pulsed metalorganic chemical vapor deposition from a single precursor
    HUYANG, XIE ; RISHI, RAJ
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 23, S. 3146-3148
    Online academicJournal
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    Electron cyclotron resonance chemical vapor deposition of silicon oxynitrides using tris(dimethylamino)silane
    BOUDREAU, M ; BOUMERZOUG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 22, S. 3014-3016
    Online academicJournal
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