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    Properties of copper films prepared by chemical vapor deposition for advanced metallization of microelectronic devices
    KRÖGER, R ; EIZENBERG, M ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 9, S. 3248-3254
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Vertical distribution of lattice strain in polycrystalline silicon films grown on silicon dioxide
    TANIKAWA, Akio
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 8, S. G406- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Mechanistic study and characterization of 3C-SiC(100) grown on Si(100)
    KWANG CHUL, KIM ; CHAN IL, PARK ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 5, S. C383- (7S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of LaAlO3/Pt(100)/Hastelloy C276 and CeO2(100)/Pt(100)/Hastelloy C276 multilayers by metallorganic chemical vapor deposition
    LO NIGRO, Raffaella ; MALANDRINO, Graziella ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 8, S. F159- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of carrier gas on chemical vapor deposition of copper with (hexafluoroacetylacetonate)Cu(1)(3,3-dimethyl-1-butene)
    CHOI, Kyeong-Keun ; RHEE, Shi-Woo
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 7, S. C473- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural properties of SnxSy thin films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
    SANCHEZ-JUAREZ, A ; ORTIZ, A
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 10, S. 3708-3717
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature chemical vapor deposition of ZrO2 on Si(100) using anhydrous zirconium(V) nitrate
    SMITH, Ryan C ; HOILIEN, Noel ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 9, S. 3472-3476
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Atomic layer chemical vapor deposition of TiO2. Low temperature epitaxy of rutile and anatase
    SCHUISKY, Mikael ; HARSTA, Anders ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 9, S. 3319-3325
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Vanadyl precursors used to modify the properties of vanadium oxide thin films obtained by chemical vapor deposition
    BARRECA, D ; DEPERO, L. E ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 2, S. 551-558
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    The effects of processing parameters in the chemical vapor deposition of cobalt from cobalt tricarbonyl nitrosyl
    IVANOVA, A. R ; NUESCA, G ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 6, S. 2139-2145
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Heteroepitaxial growth of SiC on Si(100) and (111) by chemical vapor deposition using trimethylsilane
    MADAPURA, S ; STECKL, A. J ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 3, S. 1197-1202
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective chemical vapor deposition of smooth aluminum films from highly supersaturated source gas
    AMAZAWA, T
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 11, S. 4111-4117
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective titanium silicide deposition using SiH4-TiCl4-H2 in low-pressure chemical vapor deposition and film characterization
    JEONG SOO, BYUN ; SANG JUN, CHOI ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 145 (1998), Heft 11, S. 3941-3950
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Relationship between structural and optical properties in polycrystalline silicon films prepared at low temperature by plasma-enhanced chemical vapor deposition
    MILOVZOROV, D ; INOKUMA, T ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 145 (1998), Heft 10, S. 3615-3620
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Microcrystalline silicon film deposition from H2-He-SiH4 using remote plasma enhanced chemical vapor deposition
    LEE, S.-W ; HEO, D.-C ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 145 (1998), Heft 8, S. 2900-2904
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low pressure chemically vapor deposited WO3 thin films for integrated gas sensor applications
    DAVAZOGLOU, D ; GEORGOULEAS, K
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 145 (1998), Heft 4, S. 1346-1350
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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