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    Characterization of High-k Gate Dielectric with Amorphous Nanostructure
    BAHARI, Ali ; GHOLIPUR, Reza
    In: Journal of electronic materials, Jg. 42 (2013), Heft 12, S. 3529-3540
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Nanoscale resistive switches: devices, fabrication and integration
    QIANGFEI, XIA
    In: Memristive and Resistive Devices and Systems, Jg. 102 (2011), Heft 4, S. 955-965
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Implementing a one-bit reversible full adder using quantum-dot cellular automata
    MOHAMMADI, Zahra ; MOHAMMADI, Majid
    In: Quantum information processing (Print), Jg. 13 (2014), Heft 9, S. 2127-2147
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Nanocopper Based Solder-Free Electronic Assembly : Pb-FREE SOLDERS AND MATERIALS FOR EMERGING INTERCONNECT AND PACKAGING TECHNOLOGIES
    SCHNABL, K ; WENTLENT, L ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 43 (2014), Heft 12, S. 4515-4521
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Electrical properties of pulsed laser deposited Bi2Zn2/3Nb4/3O7 thin films for high K gate dielectric application
    SUDHEENDRAN, K ; RAJU, K. C. James
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 22 (2011), Heft 6, S. 626-630
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Modified valence force field approach for phonon dispersion: from zinc-blende bulk to nanowires: Methodology and computational details
    PAUL, Abhijeet ; LUISIER, Mathieu ; et al.
    In: Journal of computational electronics (Print), Jg. 9 (2010), Heft 3-4, S. 160-172
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Dopant enhanced in nickel silicide formation for high-k dielectric applications
    TAN, S. Y
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 21 (2010), Heft 11, S. 1195-1201
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    An investigation of performance limits of conventional and tunneling graphene-based transistors
    GRASSI, R ; GNUDI, A ; et al.
    In: THE STATE OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS IN EUROPE, Jg. 8 (2009), Heft 3-4, S. 441-450
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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