Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
20 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

20 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Growth and magnetocaloric effect of Na2Gd2(BO3)2O crystal.
    Chen, Yuwei ; Liu, Wang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 633 (2024-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    A new way to achieve dislocation-free heteroepitaxial growth by molecular beam epitaxy: vertical microchannel epitaxy
    Matsunaga, Y. ; Naritsuka, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237-239 (2002-04-02), Heft 1-2, S. 1460-1465
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Microchannel epitaxy: an overview
    Nishinaga, Tatau
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237-239 (2002-04-02), Heft 1-2, S. 1410-1417
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Optimization of InP microchannel epitaxy on Si substrate achieved by addition of upper source
    NARITSUKA, S ; NISHINAGA, T ; et al.
    In: American crystal growth and epitaxy 1999, Jg. 211 (2000), Heft 1-4, S. 395-399
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Two-dimensional nucleation at stacking fault during InP microchannel epitaxy
    NARITSUKA, S ; ZHENG, YAN ; et al.
    In: Crystal Growth 1998: Proceedings of the 12th International Conference on Crystal Growth and the 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Jerusalem, Israel, July 26-31, 1998. Part 2: 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy and Specialist Workshops on Crystal Growth. Sections XII-XVI. Workshops II-III, Jg. 198-99 (1999), S. 1082-1086
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Interface supersaturation dependence of step velocity in liquid-phase epitaxy of InP
    ZHENG, YAN ; NARITSUKA, S ; et al.
    In: Crystal Growth 1998: Proceedings of the 12th International Conference on Crystal Growth and the 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Jerusalem, Israel, July 26-31, 1998. Part 2: 10th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy and Specialist Workshops on Crystal Growth. Sections XII-XVI. Workshops II-III, Jg. 198-99 (1999), S. 1077-1081
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Coalescence in microchannel epitaxy of InP
    ZHENG, YAN ; HAMAOKA, Y ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 212 (2000), Heft 1-2, S. 1-10
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Liquid-phase epitaxy (LPE) microchannel epitaxy of InP with high reproducibility achieved by predeposition of In thin layer
    NARITSUKA, S ; NISHINAGA, T
    In: Journal of crystal growth, Jg. 203 (1999), Heft 4, S. 459-463
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Interface supersaturation in microchannel epitaxy of InP
    ZHENG, YAN ; NARITSUKA, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 203 (1999), Heft 1-2, S. 25-30
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Step sources in microchannel epitaxy of InP
    ZHENG, YAN ; NARITSUKA, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 192 (1998), Heft 1-2, S. 11-17
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Optimization of growth condition for wide dislocation-free GaAs on Si substrate by microchannel epitaxy
    CHANG, Y. S ; NARITSUKA, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 192 (1998), Heft 1-2, S. 18-22
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optimization of InP microchannel epitaxy on Si substrate achieved by addition of upper source
    Mori, Hidehumi ; Tachikawa, Masami ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 211 (2000-04-01), S. 395-399
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Coalescence in microchannel epitaxy of InP
    Naritsuka, Shigeya ; Hamaoka, Yoshiyuki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 212 (2000), S. 1-10
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Liquid-phase epitaxy (LPE) microchannel epitaxy of InP with high reproducibility achieved by predeposition of In thin layer
    Nishinaga, Tatau ; Naritsuka, Shigeya
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 203 (1999-06-01), S. 459-463
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Interface supersaturation in microchannel epitaxy of InP
    Nishinaga, Tatau ; Yan, Zheng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 203 (1999-05-01), S. 25-30
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Interface supersaturation dependence of step velocity in liquid-phase epitaxy of InP
    Naritsuka, Shigeya ; Nishinaga, Tatau ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, 1999-03-01, S. 1077-1081
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Step sources in microchannel epitaxy of InP
    Naritsuka, Shigeya ; Yan, Zheng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 192 (1998-08-01), S. 11-17
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Optimization of growth condition for wide dislocation-free GaAs on Si substrate by microchannel epitaxy
    Chang, Y.S. ; Nishinaga, Tatau ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 192 (1998-08-01), S. 18-22
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Pulsed-laser deposition of superconducting LiTi2O4 ultrathin films.
    Oshima, Takayoshi ; Yokoyama, Kosuke ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 419 (2015-06-01), S. 153-157
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Epitaxial growth of wide-band-gap ZnGa<subscript>2</subscript>O<subscript>4</subscript> films by mist chemical vapor deposition.
    Oshima, Takayoshi ; Niwa, Mifuyu ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 386 (2014-01-15), S. 190-193
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -