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    academicJournal
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    RF-MBE法を用いた窒化インジウム成長過程の極微構造評価
    努, 荒木 ; 亮佑, 中村 ; et al.
    In: 材料 / 日本材料学会 [編], Jg. 73 (2024-04-01), Heft 4, S. 351-355
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth of InGaN Film on ScAlMgO4 Substrate by RF-MBE / RF-MBE法によるScAlMgO4基板上へのInGaNエピタキシャル成長
    Kayamoto, Seiya ; Mouri, Shinichiro ; et al.
    2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Solid-source metal-organic MBE for elemental Ir and Ru films.
    Nair, Sreejith ; Noordhoek, Kyle ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-12-01), Heft 6, S. 1-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal stability of Ti/Pt/Au ohmic contacts for cryogenically cooled InP-based HEMTs on (411)A-oriented substrates by MBE : International conference on molecular beam epitaxty
    Watanabe, I. ; Shinohara, K. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 1025-1029
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MBE-grown ultra-large aperture single-mode vertical-cavity surface-emitting laser with all-epitaxial filter section : International conference on molecular beam epitaxty
    Blokhin, S. A. ; Karachinsky, L. Y. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 945-950
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Solid source MBE growth on InP-based DHBTs for high-speed data communication : International conference on molecular beam epitaxty
    Aidam, R. ; Losch, R. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 1001-1004
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MBE growth and in situ XPS characterization of silicon interlayers on (111)B surfaces for passivation of GaAs quantum wire devices : International conference on molecular beam epitaxty
    Akazawa, M. ; Hasegawa, H.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 951-954
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of the GaAs MBE growth on (631)-oriented substrates by Raman spectroscopy : International conference on molecular beam epitaxty
    Cruz-Hernandez, E. ; Pulzara-Mora, A. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 884-888
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MBE-grown metamorphic lasers for applications at telecom wavelengths : International conference on molecular beam epitaxty
    Ledentsov, N. N. ; Shchukin, V. A. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 914-922
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Interface analysis of InAs/GaSb superlattice grown by MBE : International conference on molecular beam epitaxty
    Satpati, B. ; Rodriguez, J. B. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 889-892
    Konferenz
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    Growth temperature dependence of MBE-grown ZnSe Nanowires : International conference on molecular beam epitaxty
    Chan, S. K. ; Cai, Y. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 866-870
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Selective MBE growth of hexagonal networks of trapezoidal and triangular GaAs nanowires on patterned (111)B substrates : International conference on molecular beam epitaxty
    Tamai, I. ; Hasegawa, H.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 857-861
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    MBE growth of InAs self-assembled quantum dots embedded in GaNAs strain-compensating layers : International conference on molecular beam epitaxty
    Hashimoto, T. ; Oshima, R. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 821-824
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Amplified spontaneous emission from GaSb quantum dots in Si grown by MBE : International conference on molecular beam epitaxty
    Yasuhara, N. ; Jo, M. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 718-721
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Characteristics of multivalent impurity doped C60 films grown by MBE : International conference on molecular beam epitaxty
    Nishinaga, J. ; Aihara, T. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 687-691
    Konferenz
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    Growth of In-rich InGaN films on sapphire via GaN layer by RF-MBE : International conference on molecular beam epitaxty
    Komaki, H. ; Nakamura, T. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 473-477
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    MBE growth of self-assembled InGaAs quantum dots aligned along quasi-periodic multi-atomic steps on a vicinal (111)B GaAs surface : International conference on molecular beam epitaxty
    Akiyama, Y. ; Sakaki, H.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 697-700
    Konferenz
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    Growth of GaN-HEMT structures using super lattice quasi-AlGaN alloy barriers on vicinal SiC substrates by rf-MBE : International conference on molecular beam epitaxty
    Furuta, K. ; Nakamura, N. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 437-441
    Konferenz
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    MBE growth of Mn-doped Zn-Sn-As compounds on (001) InP substrates : International conference on molecular beam epitaxty
    Asubar, J. T. ; Kato, A. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 301/302 (2007), S. 656-661
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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