Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
96 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

96 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Single crystal growth of complex layered oxychalcogenide by melt-solidification method.
    Kato, Takahiro ; Iwasa, Yuki ; et al.
    In: Ceramics International, Jg. 50 (2024-06-15), Heft 12, S. 21505-21510
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Effect of Carrier Gas Flow Rate on the Morphology and Luminescence Properties of CsPbBr 3 Microcrystals.
    Wang, Xiaoting ; You, Fangfang ; et al.
    In: Crystals (2073-4352), Jg. 12 (2022-04-01), Heft 4, S. 479-489
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Promotion of GaN Crystal Growth with Pre-stirring Using the Na-Flux Method.
    Pan, Ronglin ; Wu, Wenxiao ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-08-01), Heft 8, S. 5466-5472
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Achievement of polarity reversion from Al(Ga)-polar to N-polar for AlGaN film on AlN seeding layer grown by a novel flow‐modulation technology.
    Zhang, Jin ; Zhang, Xiong ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 32 (2021-03-15), Heft 6, S. 7858-7866
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Improved optoelectronic performance from the internal secondary excitation of MAPbCl3-MAPbBr3 single crystal photodetectors.
    Qiu, Xin ; Wang, Yukun ; et al.
    In: Ceramics International, Jg. 49 (2023), Heft 1, S. 518-527
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Improvement of crystal quality of AlN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AlN/GaN) multi-buffer layer
    Niikura, E. ; Murakawa, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 298 (2007), S. 345-348
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Optical and defect properties of mid-IR laser crystal Dy<superscript>3+</superscript>: PbGa<subscript>2</subscript>S<subscript>4</subscript>: a DFT and XPS study.
    Yu, Xuezhou ; Huang, Changbao ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 24 (2022-07-28), Heft 28, S. 5149-5155
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Quality improvement of ZnTe crystals by annealing in In and Zn vapor.
    Wei, Lingli ; Huang, Changbao ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 630 (2024-03-15), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Preparation and properties of GaN:Al layers grown by radio-frequency magnetron sputter epitaxy.
    Shinoda, Hiroyuki ; Mutsukura, Nobuki
    In: Vacuum, Jg. 138 (2017-04-01), S. 87-92
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Thick nonpolar m-plane and semipolar [formula omitted] GaN on an ammonothermal seed by tri-halide vapor-phase epitaxy using GaCl3.
    Iso, Kenji ; Matsuda, Karen ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 461 (2017-03-01), S. 25-29
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Structural properties of GaN layers grown on Al2O3 (0001) and GaN/Al2O3 template by reactive radio-frequency magnetron sputter epitaxy.
    Shinoda, Hiroyuki ; Mutsukura, Nobuki
    In: Vacuum, Jg. 125 (2016-03-01), S. 133-140
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Growth evolution and microstructural characterization of semipolar (112̄2) GaN selectively grown on etched r-plane sapphire
    Leung, Benjamin ; Sun, Qian ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 341 (2012-02-15), Heft 1, S. 27-33
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Study of green light-emitting diodes grown on semipolar (11–22) GaN/m-sapphire with different crystal qualities
    Oh, Dong-Sub ; Jang, Jong-Jin ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 326 (2011-07-01), Heft 1, S. 33-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Crystal growth and optical properties of the Nd<superscript>3+</superscript> doped LuF<subscript>3</subscript> single crystals
    Fukuda, Kentaro ; Ishizu, Sumito ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 33 (2011-06-01), Heft 8, S. 1143-1146
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Crystal growth and optical properties of the Nd3+ doped LuF3 single crystals
    Fukuda, Kentaro ; Ishizu, Sumito ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 33 (2011-06-01), Heft 8, S. 1143-1146
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Effect of NH<subscript>3</subscript> flow rate on m-plane GaN growth on m-plane SiC by metalorganic chemical vapor deposition
    Sun, Qian ; Yerino, Christopher D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-07-15), Heft 15, S. 3824-3829
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE
    Wu, Jie-Jun ; Katagiri, Yusuke ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-07-01), Heft 14, S. 3801-3805
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Growth of beta barium borate (β-BaB<subscript>2</subscript>O<subscript>4</subscript>) thin films on alpha barium borate (α-BaB<subscript>2</subscript>O<subscript>4</subscript>) substrates
    Liu, Junfang ; He, Xiaoming ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 277 (2005-04-15), Heft 1-4, S. 359-363
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Facet-controlled three-step growth of high-quality GaN on sapphire substrates by mass-production-type metalorganic vapor phase epitaxy
    Nitta, Shugo ; Yamamoto, Jun ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 272 (2004-12-01), Heft 1-4, S. 438-443
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    CdO epitaxial layers grown on (0 0 1) GaAs surfaces by metalorganic molecular-beam epitaxy
    Ashrafi, A.B.M.A. ; Kumano, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237-239 (2002-04-01), Heft 1-1, S. 518-522
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -