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    Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 2 : Modélisation du dépôt de silicium pur à partir de silane et de silicium dopé in situ au phosphore / A new technology for CVD reactors. Part 2 : Modeling of polycristalline silicon deposition from silane and in situ phosphorus doped polysilicon deposition
    VERGNES, Huges ; DUVERNEUIL, Patrick ; et al.
    In: Canadian journal of chemical engineering, Jg. 78 (2000), Heft 4, S. 803-814
    Online academicJournal
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    Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 1 : Présentation et analyse des résultats expérimentaux / A new technology for CVD reactors. Part 1 : Presentation and analysis of experimental results
    VERGNES, Hugues ; DUVERNEUIL, Patrick ; et al.
    In: Canadian journal of chemical engineering, Jg. 78 (2000), Heft 4, S. 793-802
    Online academicJournal
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    Trends in precursor design for conventional l and aerosol-assisted CVD of High-Tc superconductors
    HUBERT-PFALZGRAF, L. G ; GUILLON, H
    In: Thin film processing by chemical vapour deposition, Jg. 12 (1998), Heft 3, S. 221-236
    Online academicJournal
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    SiC dopant incorporation control using site-competition CVD
    LARKIN, D. J
    In: Fundamental questions and applications of SiC (Part I), Jg. 202 (1997), Heft 1, S. 305-320
    Online academicJournal
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    Silicon carbide epitaxy in a vertical CVD reactor : Experimental results and numerical process simulation
    RUPP, R ; MAKAROV, YU. N ; et al.
    In: Fundamental questions and applications of SiC (Part I), Jg. 202 (1997), Heft 1, S. 281-304
    Online academicJournal
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    Process-induced morphological defects in epitaxial CVD silicon carbide
    POWELL, J. A ; LARKIN, D. J
    In: Fundamental questions and applications of SiC (Part I), Jg. 202 (1997), Heft 1, S. 529-548
    Online academicJournal
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    Growth of SiC by hot-wall CVD and HTCVD
    KORDINA, O ; HALLIN, C ; et al.
    In: Fundamental questions and applications of SiC (Part I), Jg. 202 (1997), Heft 1, S. 321-334
    Online academicJournal
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    CVD of CeO2-Doped Y2O3-Stabilized zirconia onto dense and porous substrates
    SIADATI, M. H ; WARD, T. L ; et al.
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 9 (1997), Heft 14, S. 311-317
    Online academicJournal
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    The kinetics of the catlyzed CVD of monocrystalline α-silicon nitride filaments
    GUGGENBERGER, M. A ; HÜTTINGER, K. J
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 9 (1997), Heft 2, S. 51-58
    Online academicJournal
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    Remote plasma-enhanced CVD of fluorinated silicon nitride films
    ALEXANDROV, S. E ; HITCHMAN, M. L
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 9 (1997), Heft 7, S. 111-117
    Online academicJournal
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    Plasma-assisted CVD of cubic boron nitride
    KONYASHIN, I ; BILL, J ; et al.
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 9 (1997), Heft 12, S. 239-255
    Online academicJournal
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    Palladium thin films grown by CVD from (1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato) palladium(II)
    BHASKARAN, V ; HAMPDEN-SMITH, M. J ; et al.
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 9 (1997), Heft 4, S. 85-90
    Online academicJournal
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    Origins of texture in TTF-TCNQ thin films grown by organic CVD from TTF and TCNQ precursors
    CARO, J ; FRAXEDAS, J ; et al.
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 9 (1997), Heft 12, S. 263-269
    Online academicJournal
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    Microwave plasma CVD in the system Si-C-H-Ar : Effect of process parameters
    SCORDO, S ; DUCARROIR, M ; et al.
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 9 (1997), Heft 7, S. 119-128
    Online academicJournal
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    Metal-organic CVD of the high-Tc superconductor YBa2Cu3O7-δ
    WATSON, I. M
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 9 (1997), Heft 2, S. 9-26
    Online academicJournal
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    Ion-beam-induced CVD: An alternative method of thin film preparation
    ESPINOS, J. P ; FERNANDEZ, A ; et al.
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 9 (1997), Heft 10, S. 219-226
    Online academicJournal
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    Gas-phase pyrolysis mechanisms in organometallic CVD
    RUSSELL, D. K
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 8 (1996), Heft 11, S. 223-233
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of Bi2O2.33 by halide CVD
    SCHUISKY, M ; HARSTA, A
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 8 (1996), Heft 11, S. 235-238
    Online academicJournal
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    The influence of Fe-group metals on the CVD of titanium carbide
    KONYASHIN, I. Y
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 8 (1996), Heft 9, S. 199-208
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    A study of the transition between growth of stoichiometric and silicon-excess silicon carbide by CVD in the system MTS/H2
    JOSIEK, A ; LANGLAIS, F ; et al.
    In: Advanced materials (Weinheim), Jg. 8 (1996), Heft 1, S. 17-21
    Online academicJournal
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