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    Free-standing single-crystalline chemically vapor deposited diamond films
    TZENG, Y ; WEI, J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 16, S. 2216-2218
    Online academicJournal
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    Homoepitaxial growth of diamond thin films by electron cyclotron-resonance microwave plasma chemical-vapor-deposition apparatus with CO/H2 gaseous source
    KOMORI, M ; MAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 582-584
    Online academicJournal
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    Structure of (001) GaAs surfaces during epitaxial growth by organometallic chemical vapor deposition
    KAMIYA, I ; TANAKA, H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 23, S. 3206-3208
    Online academicJournal
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    Epitaxial LiTaO3 thin film by pulsed metalorganic chemical vapor deposition from a single precursor
    HUYANG, XIE ; RISHI, RAJ
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 23, S. 3146-3148
    Online academicJournal
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    Intermittent ultraviolet irradiation for silicon selective epitaxial growth
    MIYATA, N ; YAMAZAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 588-590
    Online academicJournal
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    Low pressure metalorganic chemical vapor deposition of AIN over sapphire substrates
    ASIF KHAN, M ; KUZNIA, J. N ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 21, S. 2539-2541
    Online academicJournal
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    Single-crystalline, epitaxial cubic SiC films grown on (100) Si at 750°C by chemical vapor deposition
    GOLECKI, I ; REIDINGER, F ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1703-1705
    Online academicJournal
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    Selective Si epitaxial growth by plasma-enhanced chemical vapor deposition at very low temperature
    BAERT, K ; DESCHEPPER, P ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 4, S. 442-444
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor-phase homoepitaxy of gallium arsenide assisted by a downstream hydrogen afterglow plasma in the growth region
    PIHLSTROM, B. G ; SHENG, T. Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3144-3146
    Online academicJournal
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    Improved InP regreowth properties in metalorganic vapor phase epitaxy by addition of CCI4
    NORDELL, N ; BORGLIND, J
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 22-24
    Online academicJournal
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    Effect of silicon source gas on silicon-germanium chemical vapor deposition kinetics at atmospheric pressure
    KAMINS, T. I ; MEYER, D. J
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 90-92
    Online academicJournal
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    Temperature dependence of Si1-xGex epitaxial growth using very low pressure chemical vapor deposition
    SYUN-MING, JANG ; REIF, R
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 24, S. 3162-3164
    Online academicJournal
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    Initial stage of InAs on GaAs grown by molecular-beam epitaxy studied with low-energy ion scattering
    KUBO, M ; NARUSAWA, T
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 27, S. 3577-3579
    Online academicJournal
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    Epitaxial silicon deposition at 300°C with remote plasma processing using SiH4/H2 mixtures
    HATTANGADY, S. V ; POSTHILL, J. B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 3, S. 339-341
    Online academicJournal
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    Suitability of metalorganic chemical vapor deposition-derived PrGaO3 films as buffer layers for YBa2Cu3O7-x pulsed laser deposition
    BIN, HAN ; NEUMAYER, D. A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 26, S. 3639-3641
    Online academicJournal
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    Phosphorus doping of epitaxial Si and Si1-xGex at very low pressure
    SYUN-MING, JANG ; LIAO, K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 12, S. 1675-1677
    Online academicJournal
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    Oriented nucleation and growth of diamond films on β-SiC and Si
    KOHL, R ; WILD, C ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 13, S. 1792-1794
    Online academicJournal
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    Novel binary buffer layers for applications in the heteroepitaxy of highly mismatched In0.53Ga0.47As epilayers grown on GaAs substrates
    SHOU-ZEN, CHANG ; SI-CHEN, LEE ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 17, S. 2417-2419
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    Laser-assisted metalorganic chemical vapor deposition of zinc selenide epitaxial films
    SHINN, G. B ; GILLESPIE, P. M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 54 (1989), Heft 24, S. 2440-2442
    Online academicJournal
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    Y-Ba-Cu-O superconducting films prepared on SrTiO3 substrates by chemical vapor deposition
    YAMANE, H ; MASUMOTO, H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 53 (1988), Heft 16, S. 1548-1550
    Online academicJournal
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xs 0 - 576
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