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    Limitations to Adaptive Back Bias Approach for Standby Power Reduction in deep sub-micron CMOS
    Montree, A.H. ; van Brandenburg, A.C.M.C. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 580-583
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Gate current scaling rules characterization, an efficient tool for gate oxide optimisation in 0.12 um CMOS technologies
    Toren, W. J. ; Arnaud, F.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 243-246
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    RF Distortion Characterisation of Sub-Micron CMOS
    Tiemeijer, L.F. ; van Langevelde, R. ; et al.
    In: 30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, S. 464-467
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Metal Gates for 0.15 um CMOS and beyond
    Webster, M.N. ; Roes, R.F.M. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 148-151
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Efficient Parameter Extraction and Statistical Analysis for a 0.25um low-power CMOS Process
    Saavedra Diaz, E.V. ; McCarthy, K.G. ; et al.
    In: 27th European Solid-State Device Research Conference, 1997, S. 656-659
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Emitter Scaling of Single-Polysilicon SiGe:C HBTs with Highly Doped Base Layers
    Knoll, D. ; Heinemann, B. ; et al.
    In: 30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, S. 560-563
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    ILD Development for Embedded 0.18um FLASH Technology
    Cacciato, A. ; van de Ven, G. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 435-438
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Complete re-estimation of the gate leakage current limit for sub-0.12um technologies (EOT= 1.8-2.8nm)
    Bidaud, M. ; Arnaud, F. ; et al.
    In: 30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, S. 304-307
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Impact of constant current stressing procedure on Stress Induced Leakage current generation in thin oxides
    Riess, P. ; Ghibaudo, G. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 544-547
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
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