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    Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments.
    Goiffon, Vincent ; Rolando, Sebastien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 45-53
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Dark Current Spectroscopy in Neutron, Proton and Ion Irradiated CMOS Image Sensors: From Point Defects to Clusters.
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 27-37
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Dark Current Spectroscopy on Alpha Irradiated Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2183-2192
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Identification of Radiation Induced Dark Current Sources in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Goiffon, V. ; Virmontois, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 918-926
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    In-Depth Analysis on Radiation Induced Multi-Level Dark Current Random Telegraph Signal in Silicon Solid State Image Sensors.
    Durnez, Clementine ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 19-26
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Total Ionizing Dose Versus Displacement Damage Dose Induced Dark Current Random Telegraph Signals in CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 3085-3094
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Modeling the Dark Current Non-Uniformity of Image Sensors With GEANT4.
    Inguimbert, C. ; Nuns, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3323-3330
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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