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    Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments.
    Goiffon, Vincent ; Rolando, Sebastien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 45-53
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Radiation Hardness Comparison of CMOS Image Sensor Technologies at High Total Ionizing Dose Levels.
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 111-119
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Dark Current Spectroscopy in Neutron, Proton and Ion Irradiated CMOS Image Sensors: From Point Defects to Clusters.
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 27-37
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Dark Current Spectroscopy on Alpha Irradiated Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2183-2192
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Identification of Radiation Induced Dark Current Sources in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Goiffon, V. ; Virmontois, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 918-926
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Gamma and Proton-Induced Dark Current Degradation of 5T CMOS Pinned Photodiode 0.18~\mu\m CMOS Image Sensors.
    Martin, E. ; Nuns, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-02-20), Heft 1, S. 636-645
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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