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    A −2.5-dBm, 5.1%-Tuning-Range, 417-GHz Signal Source With Gate-to-Drain-Coupled Oscillator in 65-nm CMOS Process
    Thanh Dat Nguyen ; Hong, Jong-Phil
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018-11-01), S. 1023-1025
    Online unknown
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    A 134 GHz <formula formulatype='inline'><tex Notation='TeX'>${+}4$</tex> </formula> dBm Frequency Doubler at <formula formulatype='inline'> <tex Notation='TeX'>$f_{\max}$</tex></formula> in 130 nm CMOS
    Krishnaswamy, Harish ; Sharma, Jahnavi ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 24 (2014-11-01), S. 784-786
    Online unknown
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    A Direct 100 GHz Parametric CMOS Tripler
    Magierowski, Sebastian ; Zhao, Zhixing ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 23 (2013-10-01), S. 557-559
    Online unknown
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    A 20 to 24 GHz $+$16.8 dBm Fully Integrated Power Amplifier Using 0.18 $\mu{\rm m}$ CMOS Process
    Huang, Tian-Wei ; Jen, Yung-Nien ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 19 (2009), S. 42-44
    Online unknown
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    A Current-Injection Class-E Power Amplifier
    Yang, Yi-Fan ; Xu, Jian ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 30 (2020-08-01), S. 775-778
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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