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    Key performance-limiting defects in P-on-N HgCdTe LPE heterojunction infrared photodiodes
    Chen, M. C. ; List, R. S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-08-01), Heft 8, S. 1375-1382
    Online academicJournal
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    Advances in composition control for 16 µm LPE P-on-n HgCdTe heterojunction photodiodes for remote sensing applications at 60K
    Tobin, S. P. ; Weiler, M. H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-06-01), Heft 6, S. 596-602
    Online academicJournal
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    Strain relief in epitaxial HgCdTe by growth on a reticulated substrate
    Rhiger, David R. ; Sen, Sanghamitra ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-06-01), Heft 6, S. 669-675
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Progress in CdZnTe substrate producibility and critical drivers of IRFPA yield originating with CdZnTe substrates
    Price, S. L. ; Hettich, H. L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-06-01), Heft 6, S. 564-572
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Investigation of the cross-hatch pattern and localized defects in epitaxial HgCdTe
    Rhiger, David R. ; Peterson, Jeffrey M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-06-01), Heft 6, S. 615-623
    Online academicJournal
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    Low temperature thermal annealing effects in bulk and epitaxial Cd<subscript>x</subscript>Hg<subscript>1−x</subscript>Te
    Capper, P. ; Maxey, C. D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-06-01), Heft 6, S. 637-648
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Assessment of defects in as-grown III-V multilayer structures by differentiated cathodoluminescence topography (DCLT)
    Bakker, J. ; de Poorter, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 9 (1980-03-01), Heft 2, S. 311-334
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Annealing behavior of undoped bulk GaAs
    Fang, Z. Q. ; Shan, L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-03-01), Heft 2, S. 123-129
    Online academicJournal
    Zugriff:
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xs 0 - 576
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