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    A model of threading dislocation density in strain-relaxed Ge and GaAs epitaxial films on Si (100)
    Wang, G. ; Loo, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-03-09), Heft 10, S. 102115-102115
    Online academicJournal
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    Formation of misfit dislocations at the thin strained Si/strain-relaxed buffer interface.
    Loo, Roger ; Delhougne, Romain ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-31), Heft 18, S. 182108-182108
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Influence of dislocations in strained Si/relaxed SiGe layers on n<superscript>+</superscript>/p-junctions in a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology.
    Eneman, Geert ; Simoen, Eddy ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-11-07), Heft 19, S. 192112-192114
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -