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    Nanoscale FD/SOI CMOS: Thick or thin box?
    TRIVEDI, V. P ; FOSSUM, J. G
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 1, S. 26-28
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Threshold voltage and bulk inversion effects in nonclassical CMOS devices with undoped ultra-thin bodies
    TRIVEDI, Vishal P ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 170-178
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Modeling of strained CMOS on disposable SiGe dots : Shape impacts on electrical/thermal characteristics
    FRDGONBSE, Sébastien ; YAN, ZHUANG ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 6, S. 919-925
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Effects of Substrate Orientation and Channel Stress on Short-Channel Thin SOI MOSFETs
    MAJUMDAR, Amian ; OUYANG, Christine ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2067-2072
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effect of tensile uniaxial stress on the electron transport properties of deeply scaled FD-SOI n-type MOSFETs
    NAYFEH, H. M ; SINGH, D. V ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 288-290
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Improved device variability in scaled MOSFETs with deeply retrograde channel profile : RELIABILITY AND VARIABILITY OF DEVICES FOR CIRCUITS AND SYSTEMS
    WOO, Jason ; CHIEN, P. Y ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 6-7, S. 1090-1095
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strain and channel engineering for fully depleted SOI MOSFETs towards the 32 nm technology node
    ANDRIEU, F ; WEBER, O ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2047-2053
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of ultra-thin-film SOI transistors using the recessed channel concept
    DREESKORNFELD, L ; HARTWICH, J ; et al.
    In: Micro and Nano Engineering 2004: Proceedings of the 30th International Conference on Micro and Nano Engineering, September 19-22, Jg. 78-79 (2005), S. 224-228
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dynamic performance of graded channel DG FD SOI n-MOSFETs for minimizing the gate misalignment effect
    RUPENDRA KUMAR, SHARMA ; GUPTA, Ritesh ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 49 (2009), Heft 7, S. 699-706
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In-depth electrical characterization of sub-45 nm fully depleted strained SOI MOSFETs with TiN/HfO2 gate stack : Ultimate integration on silicon conference 2007
    FERUGLIO, S ; ANDRIEU, F ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 4, S. 489-497
    academicJournal
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    A model of fringing fields in short-channel planar and triple-gate SOI MOSFETs
    ERNST, Thomas ; RITZENTHALER, Romain ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 6, S. 1366-1375
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Tunnel Diode Body Contact Structure to Suppress the Floating-Body Effect in Partially Depleted SOI MOSFETs
    JING, CHEN ; JIEXIN, LUO ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 10, S. 1346-1348
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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