Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
3 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Sprache

3 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    p-GaN HEMT Hard Switching Fault Type Short-Circuit Detection Based on the Gate Schottky-Barrier Leakage Current and Using a Dual-Channel Segmented CMOS buffer Gate-Driver
    Barazi, Yazan ; Richardeau, Frédéric ; et al.
    In: 2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) ; 35th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2023) ; https://hal.science/hal-04114246 ; 35th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2023), Hong Kong University of Science and Technology, May, 2023
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    p-GaN HEMT Hard Switching Fault Type Short-Circuit Detection Based on the Gate Schottky-Barrier Leakage Current and Using a Dual-Channel Segmented CMOS buffer Gate-Driver
    Barazi, Yazan ; Richardeau, Frédéric ; et al.
    In: 2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) ; 35th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2023) ; https://hal.science/hal-04114246 ; 35th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2023), Hong Kong University of Science and Technology, May, 2023
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    p-GaN HEMT Hard Switching Fault Type Short-Circuit Detection Based on the Gate Schottky-Barrier Leakage Current and Using a Dual-Channel Segmented CMOS buffer Gate-Driver
    Barazi, Yazan ; Richardeau, Frédéric ; et al.
    In: The 35th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2023) ; https://hal.science/hal-04114246 ; The 35th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2023), Hong Kong University of Science and Technology, May 2023, 2023
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -