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    Electrical properties of pulsed laser deposited Bi2Zn2/3Nb4/3O7 thin films for high K gate dielectric application
    SUDHEENDRAN, K ; RAJU, K. C. James
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 22 (2011), Heft 6, S. 626-630
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Dopant enhanced in nickel silicide formation for high-k dielectric applications
    TAN, S. Y
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 21 (2010), Heft 11, S. 1195-1201
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Control of Interface Traps in HfO2 Gate Dielectric on Silicon : Phase Stability, phase transformation and reactive phase formation in electronic materials
    TAN, S. Y
    In: Journal of electronic materials, Jg. 39 (2010), Heft 11, S. 2435-2440
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    High-κ dielectrics and advanced channel concepts for Si MOSFET
    MO, WU ; ALIVOV, Y. I ; et al.
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 19 (2008), Heft 10, S. 915-951
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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