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    (Invited) Low Frequency Noise Performance of State-of-the-Art and Emerging CMOS Devices : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Claeys, C. ; Aoulaiche, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 567-580
    Konferenz
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    A Compact CMOS 3-D Magnetic Field Sensor : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Wang, G. ; Misra, D.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 543-558
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Recent Progress of Ge Technology for a Post-Si CMOS : Dielectrics in nanosystems -and- graphene, Ge/III-V, nanowires and emerging materials for post-CMOS applications
    Toriumi, A. ; Lee, C. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 35 (2011), Heft 3, S. 443-456
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Prospective and Critical Issues of III-V/Ge CMOS on Si Platform : Dielectrics in nanosystems -and- graphene, Ge/III-V, nanowires and emerging materials for post-CMOS applications
    Takagi, S. ; Takenaka, M.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 35 (2011), Heft 3, S. 279-298
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Scaling with III-V Channels for Improved Performance and Low Power : Dielectrics in nanosystems -and- graphene, Ge/III-V, nanowires and emerging materials for post-CMOS applications
    Hill, R.J. ; Oh, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 35 (2011), Heft 3, S. 335-344
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation on Oxygen Diffusion in a High-k Metal-Gate Stack for Advanced CMOS Technology by XPS : Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics; Semiconductors, dielectrics, and metals for nanoelectronics 11; editors, S. Kar [and three others]
    Kechichian, A. ; Barboux, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 58 (2013), Heft 7, S. 325-338
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Recent Findings in Electrical Behavior of CMOS High-K Dielectric/Metal Gate Stacks : Silicon nitride, silicon dioxide, and emerging dielectrics
    Ghibaudo, G. ; Coignus, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 35 (2011), Heft 4, S. 773-804
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy (IETS) Study of Ultra-Thin Gate Dielectrics for Advanced CMOS Technology : Silicon nitride, silicon dioxide, and emerging dielectrics
    Ma, T.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 35 (2011), Heft 4, S. 545-562
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Intrinsic Variability and Reliability in Nano-CMOS : Silicon nitride, silicon dioxide, and emerging dielectrics
    Velamala, J. ; Wang, C. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 35 (2011), Heft 4, S. 353-368
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Context Dependence Effects in Si/SiON Based Advanced CMOS Devices : Silicon nitride, silicon dioxide, and emerging dielectrics
    Olubuyide, O.O.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 35 (2011), Heft 4, S. 287-302
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Advanced FinFET Technologies: Extension Doping, V~t~h Controllable CMOS Inverters and SRAM : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability, and manufacturing
    Liu, Y. ; Endo, K. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 2, S. 385-402
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    XPS Study on Chemical Bonding States of High-k Gate Stacks for Advanced CMOS : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability, and manufacturing
    Nohira, H.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 2, S. 129-138
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High-k Gate Dielectrics for Nanoscale CMOS Devices: Status, Challenges, and Future : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability, and manufacturing
    Park, D. ; Wang, X.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 2, S. 39-50
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Changing Front-End Dielectric Requirements for End-of-the-Roadmap CMOS and Beyond : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability, and manufacturing
    Register, L.F. ; Basu, D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 2, S. 3-18
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High K Dielectrics for Future CMOS Devices : Silicon Nitride, Silicon Dioxide and Emerging Dielectrics
    Robertson, J.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 2, S. 579-592
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Advances on III-V MOSFET for Science and Technology beyond Si CMOS : Silicon Nitride, Silicon Dioxide and Emerging Dielectrics
    Kwo, J.R. ; Lin, T. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 2, S. 593-604
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Crystalline Rare-Earth Oxides as High-k Materials for Future CMOS Technologies : Physics and technology of high-k gate dielectrics
    Osten, H. ; Laha, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 11 (2007), Heft 4, S. 287-298
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Integration Issues with High-K/Metal Gate Stack : Physics and technology of high-k gate dielectrics
    Kwong, D.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 1 (2006), Heft 5, S. 653-662
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Advanced Gate Stacks with Fully Silicided Gates and High-k Dielectrics for Low Power CMOS : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability, and manufacturing
    Ogura, T. ; Saitoh, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 2 (2006), Heft 1, S. 301-310
    Konferenz
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    Prospect of High- kappa /Metal Gate Stack Technology for Future CMOS Devices : Physics and chemistry of SiO~2 and the Si-SiO~2 interface
    Lee, B. H. ; Kirsch, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 1 (2005), Heft 1, S. 29-38
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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