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    Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of Conductive Hafnium Nitride Using Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium for CMOS Gate Electrode Applications.
    Consiglio, Steven ; Zeng, Wanxue ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 155 (2008-03-01), Heft 3, S. H196- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Scalability and Reliability Characteristics of CVD HfO2 Gate Dielectrics with HfN Electrodes for Advanced CMOS Applications.
    Kang, J. F. ; Yu, H. Y. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 154 (2007-11-01), Heft 11, S. H927- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ALD and Parasitic Growth Characteristics of the Tetrakisethylmethylamino Hafnium (TEMAH)/H2O Process.
    Nyns, L. ; Delabie, A. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 157 (2010-11-01), Heft 11, S. G225- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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