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    Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels
    TAKAGI, Shin-Ichi ; MIZUNO, T ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 5, S. 684-694
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strained SOI/SGOI dual-channel CMOS technology based on the ge condensation technique
    TEZUKA, Tsutomu ; NAKAHARAI, Shu ; et al.
    In: 3rd International SiGe Technology and Device Meeting (Princeton, New Jersey, 15-17 May 2006), Jg. 22 (2007), Heft 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Quasi-SOI MOSFETs- : A promising bulk device candidate for extremely scaled era
    YU, TIAN ; HAN, XIAO ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 7, S. 1784-1788
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Monte carlo simulation of p- and n-channel GOI MOSFETs by solving the quantum boltzmann equation
    GANG, DU ; XIAOYAN, LIU ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 10, S. 2258-2264
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A novel nanoscaled device concept: Quasi-SOI MOSFET to eliminate the potential weaknesses of UTB SOI MOSFET
    YU, TIAN ; RU, HUANG ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 4, S. 561-568
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -