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    Phase retrieval for 1D and 2D crystals
    Arnal, Romain D. ; Millane, Rick P.
    In: 2017 International Conference on Image and Vision Computing New Zealand (IVCNZ), 2017-12-01, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Lattice distortion analysis of nonpolar a-plane $$(11\bar 20)$$ GaN films by using a grazing-incidence X-ray diffraction technique
    Kwang Hyeon Baik ; Kim, Ji-Hoon ; et al.
    In: Journal of the Korean Physical Society, Jg. 66 (2015-02-01), S. 607-611
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template
    Nakamura, Yoshiaki ; Khan, D.T. ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 211 (2014-02-19), S. 731-735
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Characterization of MOVPE InN films grown on 3c‐SiC/Si(111) templates
    Sawazaki, N. ; Cho, M. S. ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 4 (2007-06-01), S. 2441-2444
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    CdO epitaxial layers grown on (0 0 1) GaAs surfaces by metalorganic molecular-beam epitaxy
    Ashrafi, A.B.M.A. ; Tae Yeon Seong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, 2002-04-01, S. 518-522
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Sputtering of ZnO buffer layer on Si for GaN blue light emitting materials
    Tang, Zhaosheng ; Yao, Zhenyu ; et al.
    In: Science in China Series E: Technological Sciences, Jg. 43 (2000-12-01), S. 55-59
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Effect of seed annealing on ZnSe single-crystals grown by vertical sublimation method
    Kikuma, Isao ; Kato, Hiroyuki
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 212 (2000), S. 92-96
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Effect of c‐plane sapphire misorientation on the growth of AlN by high‐temperature MOVPE
    Kato, N. ; Iwaya, Motoaki ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 5 (2008-07-01), S. 3048-3050
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Growth of high‐quality thick AlGaN by high‐temperature metalorganic vapor phase epitaxy
    Okada, N. ; Sato, S. ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 5 (2008-05-01), S. 1559-1561
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Metastable Nitric Acid Trihydrate in Ice Clouds
    Weiss, F. ; Kubel, F. ; et al.
    2016
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High-resolution x-ray diffraction studies of highly curved GaN layers prepared by hydride vapor phase epitaxy
    Jingming, Liu ; Wang, J. F. ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 2009-08-24
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Characterization of lattice mosaic ofa-plane GaN grown onr-plane sapphire by metalorganic vapor-phase epitaxy
    Kusakabe, Kazuhide ; Ando, Shizutoshi ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 892 (2005)
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Achievement of Polarity Reversion From Al(Ga)-Polar to N-Polar For AlGaN Film on AlN Seeding Layer Grown By a Novel Flow-Modulation Technology
    Zhuang, Zhe ; Zhang, Jin ; et al.
    2021
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Improved crystal quality of non-polar a-plane GaN epi-layers directly grown on optimized hole-array patterned r-sapphire substrates
    Chen, H. S. ; Jia, Haiqiang ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), S. 2747-2753
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Improvement in the crystal quality of non-polar a-plane GaN directly grown on an SiO2 stripe-patterned r-plane sapphire substrate
    Ma, Ziguang ; Deng, Zhen ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), S. 5124-5128
    Online unknown
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Zn Vacancy Formation Energy and Diffusion Coefficient of CVT ZnO Crystals in the Sub-Surface Micron Region
    Choi, Ji-Won ; Boatner, Lynn A. ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 8 (2018-09-01), Heft 1, S. 1-8
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Determination of the tilt and twist angles of curved GaN layers by high-resolution x-ray diffraction
    Huang, Xiahe ; Guo, Xiangxin ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 24 (2009-11-13), S. 125007-125007
    Online unknown
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Growth and structural properties of ZnO films on (10−10) m-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Hong, Soon-Ku ; Yao, Takafumi ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 27 (2009), S. 1625-1625
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    See Deeper: Identifying Crystal Structure from X-ray Diffraction Patterns
    Sharma, Raksha ; Chakraborty, Abhik
    In: 2020 International Conference on Cyberworlds (CW), 2020-09-01
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Solution growth of chalcopyrite compounds single crystal
    Miyake, Hideto ; Yoshino, Kenji ; et al.
    In: Renewable Energy, Jg. 79 (2015-07-01), S. 127-130
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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