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    Investigation of the Hue–Wavelength Response of a CMOS RGB-Based Image Sensor.
    Park, Hyeon-Woo ; Choi, Ji-Won ; et al.
    In: Sensors (14248220), Jg. 22 (2022-12-01), Heft 23, S. 9497-9507
    Online academicJournal
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    Using CMOS Image Sensors to Determine the Intensity of Electrical Discharges for Aircraft Applications.
    Riba, Jordi-Roger ; Bas-Calopa, Pau ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 12 (2022-09-01), Heft 17, S. 8595-8608
    Online academicJournal
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    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation.
    Watanabe, Takashi ; Takeuchi, Tomoaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1835-1845
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Development of Gentle Slope Light Guide Structure in a 3.4 μm Pixel Pitch Global Shutter CMOS Image Sensor with Multiple Accumulation Shutter Technology.
    Sekine, Hiroshi ; Kobayashi, Masahiro ; et al.
    In: Sensors (14248220), Jg. 17 (2017-12-01), Heft 12, S. 2860-2870
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    An Implantable CMOS Image Sensor With Self-Reset Pixels for Functional Brain Imaging.
    Sasagawa, Kiyotaka ; Yamaguchi, Takahiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 215-222
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A 1.7-in, 33-Mpixel, 120-frames/s CMOS Image Sensor With Depletion-Mode MOS Capacitor-Based 14-b Two-Stage Cyclic A/D Converters.
    Yasue, Toshio ; Kitamura, Kazuya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 153-161
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Nonuniformity Analysis of a 65-kpixel CMOS SPAD Imager.
    Antolovic, Ivan Michel ; Burri, Samuel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 57-64
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A Review of CMOS Photodiode Modeling and the Role of the Lateral Photoresponse.
    Blanco-Filgueira, Beatriz ; Lopez Martinez, Paula ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 16-25
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    3-D-Stacked 16-Mpixel Global Shutter CMOS Image Sensor Using Reliable In-Pixel Four Million Microbump Interconnections With 7.6- \mu \textm Pitch.
    Kondo, Toru ; Takazawa, Naohiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 128-137
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Gate Engineering to Improve Effective Resistance of 28-nm High- $k$ Metal Gate CMOS Devices.
    Jeong, Jin ; Hyuk ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 259-264
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    CMOS-Compatible PureGaB Ge-on-Si APD Pixel Arrays.
    Sammak, Amir ; Aminian, Mahdi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 92-99
    Online academicJournal
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    A Low Dark Count p-i-n Diode Based SPAD in CMOS Technology.
    Veerappan, Chockalingam ; Charbon, Edoardo
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 65-71
    Online academicJournal
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    Enhanced Near-Infrared Response CMOS Image Sensors Using High-Resistivity Substrate: Photodiodes Design Impact on Performances.
    Lincelles, Jean-Baptiste ; Marcelot, Olivier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 120-127
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Charge Transfer Model for CMOS Image Sensors.
    Han, Liqiang ; Yao, Suying ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 32-41
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Column-Parallel Inverter-Based Cyclic ADC for CMOS Image Sensor With Capacitance and Clock Scaling.
    Tang, Fang ; Wang, Bo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 162-167
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Fast-Gated CMOS Image Sensor With a Vertical Overflow Drain Shutter Mechanism.
    Tadmor, Erez ; Lahav, Assaf ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 138-144
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Potential-Based Characterization of the Transfer Gate in CMOS Image Sensors.
    Xu, Yang ; Ge, Xiaoliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 42-48
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    CMOS Global Shutter Charge Storage Pixels With Improved Performance.
    Velichko, Sergey ; Hynecek, Jaroslav Jerry ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 106-112
    Online academicJournal
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    Digital domain dynamic path accumulation method to compensate for image vibration distortion for CMOS-time-delay-integration image sensor.
    Xu, Jiangtao ; Wang, Dongchen ; et al.
    In: Optical Engineering, Jg. 59 (2020-10-01), Heft 10, S. 103101-103101
    academicJournal
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    Linear-Mode Gain-Modulated Avalanche Photodiode Image Sensor for Time-of-Flight Optical Ranging.
    Shcherbakova, Olga ; Pancheri, Lucio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 145-152
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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