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    Effects of V/III ratio of InGaN quantum well at high growth temperature for near ultraviolet light emitting diodes
    Mohd Ann Amirul Zulffiqal Md Sahar ; Hassan, Zainuriah ; et al.
    In: Microelectronics International, Jg. 38 (2021-07-19), S. 119-126
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    Improved Light Extraction of Nitride-Based Light-Emitting Diodes by Al2O3-Doped UV-Curing Encapsulant
    Yan, Bing ; Wang, Tao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Jg. 10 (2020-12-01), S. 1960-1964
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    High Output Power GaN-Based Green Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes With Trapezoidal Quantum Wells
    Chen, Bo-Yan ; Wu, Haocheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), S. 3650-3654
    Online unknown
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    32 × 32 Pixelated High-Power Flip-Chip Blue Micro-LED-on-HFET Arrays for Submarine Optical Communication
    Cha, Yu-Jung ; Abu Bashar Mohammad Hamidul Islam ; et al.
    In: Nanomaterials, 2021-11-12
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    Nanoscale Ni/Au wire grids as transparent conductive electrodes in ultraviolet light-emitting diodes by laser direct writing
    Liu, Sheng ; Gao, Yilin ; et al.
    In: Optics & Laser Technology, Jg. 104 (2018-08-01), S. 112-117
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    III-nitride ultraviolet, blue and green LEDs with SiO 2 photonic crystals fabricated by UV-nanoimprint lithography
    Hu, Xiao-Long ; Wen, Rulian ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 79 (2018-06-01), S. 61-65
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    Performance improvement of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes via Al-composition graded quantum wells
    Lu, Lin ; Liu, Yuhang ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 118 (2018-06-01), S. 55-60
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    High-power and reliable GaN-based vertical light-emitting diodes on 4-inch silicon substrate
    Zhou, Shengjun ; Xu, Haohao ; et al.
    In: Optics express, Jg. 27 (2019-11-06), Heft 20
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    Compromise between illumination performance and modulation bandwidth for micro-size white light-emitting diode by selecting injected current
    Wu, Haocheng ; Wang, Chao ; et al.
    In: Applied Physics A, Jg. 125 (2019-07-18)
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    Effect of p-GaN layer grown with H 2 carrier gas on wall-plug efficiency of high-power LEDs
    Chong Yi Lee ; Chyi Da Yang ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 132 (2017-06-01), S. 86-90
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    Investigation of quantum structure in N-polar deep-ultraviolet light-emitting diodes
    Kang, Yang ; Muhammad Hunain Memon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 129 (2021-04-07), S. 133102-133102
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    Enhanced light extraction from AlGaInP-based red light-emitting diodes with photonic crystals
    Han, Lili ; Tang, Xiansheng ; et al.
    In: Optics Express, Jg. 29 (2021-02-09), S. 5993-5993
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    Exploring light extraction efficiency of InGaN LED by creating structured voids in substrate with a femtosecond laser
    Wu, Shih-jeh ; Tseng, Chun-Lung ; et al.
    In: Optics & Laser Technology, Jg. 88 (2017-02-01), S. 134-139
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    Enhanced light extraction of GaN-based vertical LEDs with patterned trenches and nanostructures
    Chien Hsiung Hung ; Tseng Hsing Lin ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 57 (2017), S. 77-82
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    Performance-enhanced vertical LED using laser irradiation treatment to control wafer-level n-GaN protrusion arrays
    Ali, Luqman ; Zhou, Zhong-Liang ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 116 (2020-09-01), S. 105158-105158
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    Improvement of Light Extraction Efficiency of LED Packages Using an Enhanced Encapsulant Design
    Moon, Cheol-Hee ; Joon Sik Park ; et al.
    In: Journal of the Optical Society of Korea, Jg. 18 (2014-08-25), S. 370-376
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    Al2O3 Passivation Layer for InGaN/GaN LED Deposited by Ultrasonic Spray Pyrolysis
    Wei, Sung-Yen ; Liu, Han-Yin ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 26 (2014-06-01), S. 1243-1246
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    Effects of GaN/AlGaN/Sputtered AlN nucleation layers on performance of GaN-based ultraviolet light-emitting diodes
    Gao, Yilin ; Gui, Chengqun ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 7 (2017-03-15)
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    High‐efficiency blue and green LEDs grown on Si with 5 micrometer thick GaN buffer
    Zou, Xinbo ; Ma, Jun ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 11 (2014-02-01), S. 730-733
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    ZnO/organic interfaces: formation of hybrid excitations and relation to charge separation (Conference Presentation)
    Hecht, Stefan ; Eyer, Moritz ; et al.
    In: Physical Chemistry of Interfaces and Nanomaterials XV, 2016-11-10
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