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    Interpretation of admittance, capacitance-voltage, and current-voltage signatures in Cu(In,Ga)Se<subscript>2</subscript> thin film solar cells.
    Eisenbarth, Tobias ; Unold, Thomas ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-02-01), Heft 3, S. 34509-34520
    Online academicJournal
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    Interpretation of admittance, capacitance-voltage, and current-voltage signatures in Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells.
    Eisenbarth, Tobias ; Unold, Thomas ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-02-01), Heft 3, S. 34509-1- (12S.)
    Online academicJournal
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    Light- and bias-induced metastabilities in Cu(In,Ga)Se<subscript>2</subscript> based solar cells caused by the (V<subscript>Se</subscript>-V<subscript>Cu</subscript>) vacancy complex.
    Lany, Stephan ; Zunger, Alex
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-12-01), Heft 11, S. 113725-113739
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Interfacial layer formations between Cu(In,Ga)Se<subscript>2</subscript> and In<subscript>x</subscript>S<subscript>y</subscript> layers.
    Abou-Ras, D. ; Kostorz, G. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-12-15), Heft 12, S. 123512-123518
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    Three-step H2Se/Ar/H2S reaction of Cu-In-Ga precursors for controlled composition and adhesion of Cu(In,Ga)(Se,S)2 thin films.
    Kim, Kihwan ; Hanket, Gregory M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-04-15), Heft 8, S. 83710-83717
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Interfacial layer formations between Cu(In,Ga)Se2 and InxSy layers.
    Abou-Ras, D. ; Kostorz, G. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-12-15), Heft 12, S. 123512-123512
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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