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    A Two-Tap Indirect Time-of-Flight CMOS Image Sensor With Pump Gate Modulator for Low-Power Applications.
    Zhang, Bing ; Hu, Congzhen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2858-2864
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    A Wide Spectral Response Single Photon Avalanche Diode for Backside-Illumination in 55-nm CMOS Process.
    Liu, Yang ; Liu, Maliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 5041-5047
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    A Charge Transfer Model for CMOS Image Sensors.
    Han, Liqiang ; Yao, Suying ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 32-41
    Online academicJournal
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    A Potential-Based Characterization of the Transfer Gate in CMOS Image Sensors.
    Xu, Yang ; Ge, Xiaoliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 42-48
    Online academicJournal
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    Volltext
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    academicJournal
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    A 4-μm Diameter SPAD Using Less-Doped N-Well Guard Ring in Baseline 65-nm CMOS
    Jiang, Yang ; Lu, Xin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-05-01), S. 2223-2225
    Online unknown
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    Reconfigurable MoTe 2 Field-Effect Transistors and its Application in Compact CMOS Circuits.
    Chen, Jing ; Li, Ping ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4748-4753
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Exploration of Pinned Photodiode Radiation Hardening Solutions Through TCAD Simulations.
    Marcelot, Olivier ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), Heft 8, S. 3411-3416
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Device and Circuit Performance of the Future Hybrid III–V and Ge-Based CMOS Technology.
    Benbakhti, Brahim ; Chan, Kah Hou ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-10-01), Heft 10, S. 3893-3899
    Online academicJournal
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    Influence of Pixel Design on Charge Transfer Performances in CMOS Image Sensors
    Estribeau, Magali ; Magnan, Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), S. 1048-1055
    Online unknown
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    Pinned Photodiode CMOS Image Sensor TCAD Simulation: In-Depth Analysis of in-Pixel Pinning Voltage Measurement for a Diagnostic Tool.
    Marcelot, Olivier ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-02-01), Heft 2, S. 455-462
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Device and Circuit Performance of the Future Hybrid III–V and Ge-Based CMOS Technology
    Benbakhti, Brahim ; Soltani, Ali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-10-01), S. 3893-3899
    Online unknown
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Pinned Photodiode CMOS Image Sensor TCAD Simulation: In-Depth Analysis of in-Pixel Pinning Voltage Measurement for a Diagnostic Tool
    Magnan, Pierre ; Nallet, Franck ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-02-01), S. 455-462
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Scaleable Single-Photon Avalanche Diode Structures in Nanometer CMOS Technology.
    Richardson, Justin A. ; Webster, Eric A. G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-07-01), Heft 7, S. 2028-2035
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Two-Stage Charge Transfer Active Pixel CMOS Image Sensor With Low-Noise Global Shuttering and a Dual-Shuttering Mode.
    Yasutomi, Keita ; Itoh, Shinya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 740-747
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A CMOS-Compatible Rapid Vapor-Phase Doping Process for CMOS Scaling.
    Uchino, Takashi ; Ashburn, Peter ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004), Heft 1, S. 14-19
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Performance and Variability of Doped Multithreshold FinFETs for 10-nm CMOS
    Riddet, Craig ; Cheng, Binjie ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-10-01), S. 3372-3378
    Online unknown
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