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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Controlled p-type Sb doping in LPE-grown Hg1-xCdxTe epilayers
    HARMAN, T. C
    In: Journal of electronic materials, Jg. 22 (1993), Heft 9, S. 1165-1172
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Characteristics of Au Migration and Concentration Distributions in Au-Doped HgCdTe LPE Materials
    Wei, Yanfeng ; Sun, Quanzhi ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015-03-21), S. 2773-2778
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Electrical properties of indium-doped LPE layers of Pb<subscript>1−x</subscript>Sn<subscript>x</subscript> Te
    Zemel, A. ; Eger, D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 10 (1981-03-01), Heft 2, S. 301-312
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Spectral characteristics of GaAs solar cells grown by LPE
    Smekalin, K. ; Mintairov, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999), S. 35-38
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Effects of In and Sb doping in LPE growth thermodynamics and in GaAs layer qualities
    CHEN, J. F ; WIE, C. R
    In: Journal of electronic materials, Jg. 18 (1989), Heft 3, S. 399-406
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Structural and electrical contact properties of LPE grown GaAs doped with indium
    CHEN, J. F ; WIE, C. R
    In: Journal of electronic materials, Jg. 17 (1988), Heft 6, S. 501-507
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Doping of LPE layers of CdTe grown from Te solutions
    ASTLES, M ; GORDON, N ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 13 (1984), Heft 1, S. 167-189
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Surface treatment effects on the electrical properties of the interfaces between ZnS and LPE-grown Hg0.7Cd0.3Te
    Seong Hoon Lee ; Soo Ho Bae ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-06-01), S. 684-688
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Controlled p-type Sb doping in LPE-grown Hg1−x Cdx Te epilayers
    Harman, T. C.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993-09-01), S. 1165-1172
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Surface structure of (111)A HgCdTe
    BENSON, J. D ; VARESI, J. B ; et al.
    In: 2005 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Jg. 35 (2006), Heft 6, S. 1434-1442
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Hall Effect Studies of AlGaAs Grown by Liquid-Phase Epitaxy for Tandem Solar Cell Applications
    XIN, ZHAO ; MONTGOMERY, Kyle H ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 43 (2014), Heft 11, S. 3999-4002
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Diffusion of selenium in liquid-phase epitaxy-grown Hg0.7Cd0.22Te
    ZHAO, W ; GOLDING, T. D ; et al.
    In: 2006 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Jg. 36 (2007), Heft 8, S. 822-825
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Investigation of HgCdTe p-n device structures grown by liquid-phase epitaxy
    CHANGZHEN, WANG ; TOBIN, Steve ; et al.
    In: 2005 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Jg. 35 (2006), Heft 6, S. 1192-1196
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth of very low arsenic-doped HgCdTe
    CHANDRA, D ; WEIRAUCH, D. F ; et al.
    In: 2004 U.S. workshop on the physics and chemistry of II-VI materials, Jg. 34 (2005), Heft 6, S. 963-967
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effects of In and Sb doping in LPE growth thermodynamics and in GaAs layer qualities
    Chen, J. F. ; Wie, C. R.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), S. 399-406
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Electrical properties of indium-doped LPE layers of Pb1−xSnx Te
    Shtrikman, H. ; Tamari, N. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 10 (1981-03-01), S. 301-312
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Room-temperature photoluminescence of Ga0.96In0.04 As0.11Sb0.89 lattice matched to InAs
    MOISEEV, K. D ; KRIER, A ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 33 (2004), Heft 8, S. 867-872
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Structural and electrical contact properties of LPE grown GaAs doped with indium
    Chen, J. E. ; Wie, C. R.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 17 (1988-11-01), S. 501-507
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Doping of LPE layers of CdTe grown from te solutions
    Gordon, Neil ; Astles, M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 13 (1984), S. 167-189
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Lpe growth of high purity InP and N- and P-In0.53Ga0.47As
    Fritzsche, D. ; Kuphal, E.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 12 (1983-07-01), S. 743-763
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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