Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
137 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

Sprache

137 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    The effect of N-doping of MQWS on the properties of deep ridge transistor lasers
    Qiao, Lijun ; Liang, Song ; et al.
    In: 2015 14th International Conference on Optical Communications and Networks (ICOCN), 2015-07-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    DC Characterizations of MQW Tunnel Diode and Laser Diode Hybrid Integration Device
    Niu, B. ; Li, Y. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 24 (2012-08-01), Heft 16, S. 1369-1371
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Simulation of InGaN/GaN MQW's laser diodes using micro/nano multi-quantum barriers
    Khizar, M. ; Shah, A. ; et al.
    In: 8th International Conference on High-capacity Optical Networks and Emerging Technologies, 2011-12-01, S. 222-227
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Effect of doping in barrier on photo-reflectance spectra of InGaAs/InAlAs MQWs; donor-states and QW eigen-states
    Kotera, N. ; Ohshima, K. ; et al.
    In: International Conference onIndium Phosphide and Related Materials,, 2003, S. 425-428
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Optimization of InGaN–GaN MQW Photodetector Structures for High-Responsivity Performance
    Pereiro, J. ; Rivera, C. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 45 (2009-06-01), Heft 6, S. 617-622
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Focused ion beam implantation-induced disordering in InGaAsP MQW heterostructures [studied by photoluminescence]
    Elenkrig, B.B. ; Yang, J. ; et al.
    In: Seventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1995, S. 612-615
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A 25 period InAs/sub 0.54/P/sub 0.46//In/sub 0.89/Ga/sub 0.11/P MQW for 1.55 /spl mu/m modulation grown by solid source MBE
    Farley, R.J. ; Haywood, S.K. ; et al.
    In: Conference Proceedings. 1998 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (Cat. No.98CH36129), 1998, S. 564-567
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Threshold current, differential gain, and relaxation resonance frequency of 1.55-/spl mu/m bulk and MQW DFB laser diodes
    Kakimoto, S. ; Watanabe, H.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 34 (1998-07-01), Heft 7, S. 1231-1239
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Optimization of optical behavior of InGaN-GaN MQW green LEDs with a novel high-low profile of Indium composition in the active layer
    Arvind, Pawan R. ; Dhanavantri, C.
    In: 2009 9th IEEE Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO), 2009-07-01, S. 748
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Influence of Si-doping in the barriers on optical and electrical properties of InGaN/GaN MQW LEDs
    Lai, Wang ; Yi, Luo ; et al.
    In: 2008 International Nano-Optoelectronics Workshop, 2008-08-01, S. 257
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Minor magnesium doping in P-type layer of InGaN/GaN MQW LED to enhance electrical and optical properties
    Shih, Meng-Fu ; Lin, Yung-Hsiang ; et al.
    In: 2007 International Semiconductor Device Research Symposium, 2007-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    GaInAs/GaInAsP SCH-MQW-laser emitting at 1.35 μm grown by LP-MOVPE
    Stollenwerk, M. ; Grutzmacher, D. ; et al.
    In: ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991-09-01, S. 263
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Experimental and theoretical study of the influence of quantum barrier thickness on the carrier distribution in InGaAsP MQW lasers
    Hamp, M.J. ; Cassidy, D.T.
    In: Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2000). Technical Digest. Postconference Edition. TOPS Vol.39 (IEEE Cat. No.00CH37088), 2000, S. 173-174
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    SCH doping effects in a 1.55 /spl mu/m InGaAsP/InGaAsP MQW electro-absorption modulator
    Shim, Jongin ; Eo, Yungseon ; et al.
    In: Technical Digest. CLEO/Pacific Rim 2001. 4th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (Cat. No.01TH8557), Jg. 2 (2001), S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Multi-Stage-Multi-Iterative Optimization Algorithm for Design Optimization of Multi-Quantum Well Terahertz IMPATT Sources
    Chakraborty, Sudip ; Acharyya, Aritra ; et al.
    In: 2020 IEEE VLSI DEVICE CIRCUIT AND SYSTEM (VLSI DCS), 2020-07-01, S. 129-133
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Design optimization of InGaAsP-InGaAlAs 1.55 μm strain-compensated MQW lasers for direct modulation applications
    NADEEM AKRAM, M ; SILFVENIUS, Christofer ; et al.
    In: 2004 international conference on indium phosphide and related materials (16th IPRM, 2004, S. 418-421
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Improving FWHM and Extraction Efficiency of RGB OLEDs with MQW Structure
    Ismail, Tawfik ; Gamal, Shaimaa ; et al.
    In: 2021 International Conference on Electronic Engineering (ICEEM), 2021-07-03
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Switching operation in OMVPE grown GaInAs/InP MQW intersectional optical switch structures
    Kikugawa, T. ; Ravikumar, K.G. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 1 (1989-06-01), Heft 6, S. 126-128
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    InGaAsP/InP QW impurity free intermixing for variable ZrO2 cap thickness
    Das, Sona ; Malik, Dharmander ; et al.
    In: 2015 IEEE Photonics Conference (IPC), 2015-10-01, S. 490-493
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Evaluation of Tandem efficiencies: Dilute nitride p-i-n (bulk or MQWs) in conjunction with practical Si Solar cells
    Kharel, Khim ; Freundlich, A.
    In: 2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2017-06-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -