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    Peculiarities of the method in internal formation of structures in bipolar and CMOS technologies
    Solodukha, Vitaly A. ; Solovyov, Yaroslav A. ; et al.
    In: Yugra State University Bulletin, Jg. 15 (2019-12-10), S. 44-61
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    Unexpected phosphorus doping routine of planar silicon nanowires for integrating CMOS logics
    Yu, Linwei ; Qian, Wentao ; et al.
    In: Nanoscale, Jg. 13 (2021-09-17), Heft 35
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    Doping Effects in CMOS‐compatible CoSi Thin Films for Thermoelectric and Sensor Applications
    Calvo, Jesús ; Hindenberg, Meike ; et al.
    In: Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie, Jg. 646 (2020-06-10), S. 1231-1237
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    CMOS Compatible Plasmonic Refractive Index Sensor based on Heavily Doped Silicon Waveguide
    R. Al Mahmud ; Rakibul Hasan Sagor ; et al.
    In: Engineering, Technology & Applied Science Research, Jg. 10 (2020-02-03), S. 5295-5300
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    Fabrication of CMOS Invertors in Si Thin-Film-Transistors by Laser Doping Using a Chemical Solution Coating
    Goto, Tetsuya ; Suwa, Akira ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 27-32
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    InGaAs FinFETs 3-D Sequentially Integrated on FDSOI Si CMOS With Record Performance
    Caimi, Daniele ; Sousa, Marilyne ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 1170-1174
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    CMOS-Compatible Antimony-Doped Germanium Epilayers for Mid-Infrared Low-Loss High-Plasma-Frequency Plasmonics
    Xu, Zemin ; Biesner, Tobias ; et al.
    In: ACS Applied Materials & Interfaces, Jg. 11 (2019-05-06), S. 19647-19653
    Online unknown
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    Photoluminescence Lifetime Sensor Pixels using SPADs and Silicon LEDs in Commercial CMOS
    Ricardo Jose Sta ; Charbon, Edoardo ; et al.
    In: 2019 IEEE SENSORS, 2019-10-01
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    Trapping analysis and countermeasure for arsenic auto-doping in 40-nm epitaxial diode arrays and CMOS integration
    Liu, Bo ; Song, Sannian ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 71 (2017-11-01), S. 326-331
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    Low Leakage III-V/Ge CMOS FinFET Design for High-Performance Logic Applications with High-k Spacer Technology
    Jae Won Jeong ; Jang, Esan ; et al.
    In: JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, Jg. 18 (2018-06-30), S. 295-300
    Online unknown
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    Impact of Channel, Stress-Relaxed Buffer, and S/D Si1−xGe x Stressor on the Performance of 7-nm FinFET CMOS Design with the Implementation of Stress Engineering
    Othman, N. A. F. ; Sharifah Wan Muhamad Hatta ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 47 (2018-01-16), S. 2337-2347
    Online unknown
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    CMOS-Compatible Replacement Metal Gate InGaAs-OI FinFET With $I_{ON}=156~\mu \text{A}/\mu \text{m}$ at $V_{DD}= 0.5$ V and $I_{OFF}=100$ nA/$\mu \text{m}$
    Caimi, Daniele ; Deshpande, Veeresh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-02-01), S. 169-172
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    Titanium (germano-)silicides featuring <tex>10^{-9}$</tex> Ω.<tex>cm^{2}$</tex> contact resistivity and improved compatibility to advanced CMOS technology
    Collaert, Nadine ; Everaert, Jean-Luc ; et al.
    In: 18th International Workshop on Junction Technology (IWJT), MAR 08-09, 2018, Shanghai, PEOPLES R CHINA, 2018
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    CMOS-Compatible Wearable Sensors Fabricated Using Controlled Spalling
    Webb, Bucknell C. ; Marlon, Agno ; et al.
    In: IEEE Sensors Journal, Jg. 19 (2019-09-15), S. 7868-7874
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    Dual-k HfO2 Spacer Bulk Planar Junctionless Transistor for Sub-30 nm Low Power CMOS
    Ghosekar, Ishan C. ; Patil, Ganesh C. ; et al.
    In: 2017 14th IEEE India Council International Conference (INDICON), 2017-12-01
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High mobility In0.30Ga0.70As MOSHEMTs on low threading dislocation density 200 mm Si substrates: A technology enabler towards heterogeneous integration of low noise and medium power amplifiers with Si CMOS
    Yadav, Sachin ; Yeo, Yee-Chia ; et al.
    In: 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017-12-01
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    Plasmonic germanium resonators for CMOS compatible Terahertz chem-bio sensing platform
    Guha, S. ; Kazmierczak, M. ; et al.
    In: 2017 IEEE 14th International Conference on Group IV Photonics (GFP), 2017-08-01
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    Multi-Frequency Imaging with a CMOS Compatible Scandium Doped Aluminum Nitride PMUT Array
    Marigo, E. ; Soundara-Pandian, Mohan ; et al.
    In: 2021 IEEE 34th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS), 2021-01-25
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    Breakdown Voltage Model and Electrical Characteristics of CMOS Compatible RESURF STI Drain Extended MOS Transistors
    Lin, Yi-Chin ; Yadav, Yogendra ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-06-01), S. 1958-1963
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    Toward Gated-Diode-BIMOS for thin silicon ESD protection in advanced FD-SOI CMOS technologies
    Vinet, Maud ; Louise De Conti ; et al.
    2017
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