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    Modeling of Thermodynamic and Transport Phenomena in CVD Processes for Nano-Scale Applications : Thermal and plasma CVD of nanostructures
    Nagarajan, R. ; Gorai, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 13 (2008), Heft 9, S. 7-18
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characteristics of Silicon Nitride Films Deposited by Cat-CVD at a Low Temperature (100 ^oC) : Nanotechnology
    Song, T.H. ; Keum, K.S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2013), Heft 25, S. 5-8
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial Growth of Heavily B-Doped Si and Ge Films on Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating : ULSI process integration; ULSI process integration 8; editors: C. Claeys [and four others]
    Abe, Y. ; Kubota, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 58 (2013), Heft 9, S. 223-230
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    (Invited) Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing : ULSI process integration; ULSI process integration 8; editors: C. Claeys [and four others]
    Sakuraba, M. ; Murota, J.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 58 (2013), Heft 9, S. 195-200
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Formation and Characterization of Strained Si~1~-~XGe~x Films Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating : ULSI process integration; ULSI process integration 8; editors: C. Claeys [and four others]
    Ueno, N. ; Sakuraba, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 58 (2013), Heft 9, S. 207-212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    (Invited) ALD and Pulsed-CVD of Ru, RuO~2, and SrRuO~3 : Atomic layer deposition applications; Atomic layer deposition applications 9; editors: F. Roozeboom [and five others]
    Han, J.H. ; Hwang, C.S.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 58 (2013), Heft 10, S. 171-182
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characteristiscs of Nanocrystalline Silicon Films Deposited by Cat-CVD below 100 ^oC : General student poster session
    Song, T.H. ; Hong, W.S.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 29, S. 49-52
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Crystalline Properties and Strain Relaxation Mechanism of CVD Grown GeSn : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Gencarelli, F. ; Vincent, B. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 875-884
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Effect of Atomic Hydrogen in SiN~x Films for Gate Dielectric of Silicon-Based TFTs Fabricated at a Low-Temperature(<or=150 ^oC) by Cat-CVD : General student poster session
    Keum, K. ; Lee, K. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 35 (2011), Heft 31, S. 73-76
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    (Invited) Ultra-Conformal CVD at Low Temperatures: The Role of Site Blocking and the Use of Growth Inhibitors : Atomic layer deposition applications
    Abelson, J.R.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 33 (2010), Heft 2, S. 307-320
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Growth Kinetics and Defects of CVD Graphene on Cu : Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS applications
    Colombo, L. ; Li, X. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 5, S. 109-114
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Merging Standard CVD Techniques for GaAs and Si Epitaxial Growth : Graphene, Ge/III-V, and emerging materials for post-CMOS applications
    Sammak, A. ; de Boer, W. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 5, S. 237-244
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Effect of In Situ Hydrogen Annealing on Dielectric Property of a Low Temperature Silicon Nitride Layer in a Bottom-Gate Nanocrystalline Silicon TFT by Catalytic CVD : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Lee, Y. ; Lee, K. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 1, S. 395-400
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Improvement of CVD SiO2 by Post Deposition Microwave Plasma Treatment : Low temperature processing of thin films for flexible electronics
    Nagata, K. ; Akamatsu, H. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 9, S. 45-52
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Cleaning-Free Deposition of Highly Crystallized Si Films on Plastic Film Substrates Using Pulsed-Plasma CVD under Near-Atmospheric Pressure : Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing
    Matsumoto, M. ; Ito, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 25 (2009), Heft 5, S. 345-350
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Etching of Sacrificial CVD Silicon Dioxides with Anhydrous HF Vapor : Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing
    Ritala, H. ; Kiihamaki, J.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 25 (2009), Heft 5, S. 351-360
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Surfactants as an Additive to Wet Cleaning Solutions for Plasma Etch Residue Removal: Compatibility to a Porous CVD-SiCOH Ultra Low-k Dielectric Material : Cleaning and surface conditioning technology in semiconductor device manufacturing
    Ahner, N. ; Schulz, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 25 (2009), Heft 5, S. 87-94
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Structural and textural changes of CVD-SiC to indentation, high temperature creep and irradiation : Conference and exhibition of the European Ceramic Society
    Chollon, G. ; Vallerot, J. M. ; et al.
    In: JOURNAL- EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, Jg. 27 (2007), Heft 2/3, S. 1503-1511
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Optimizing Net Deposition Rates for a High Density Plasma CVD Process : Chemical vapor deposition
    Niazi, K. ; Chen, Z. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 1 (2003), S. 681-688
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Study of Precursors for Atmospheric Pressure Plasma Enhanced CVD (AP-PECVD) of Silicon Dioxide Films : Chemical vapor deposition
    Alexandrov, S. E. ; Hitchman, M. L. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 1 (2003), S. 630-637
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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