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    (Invited) Si/SiGe Resonant Interband Tunnel Diodes Grown by Large-Area Chemical Vapor Deposition : ULSI process integration; ULSI process integration 8; editors: C. Claeys [and four others]
    Berger, P. ; Ramesh, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 58 (2013), Heft 9, S. 81-88
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    SiGe Band-to-Band Tunneling Calibration based on p-i-n Diodes: Fabrication, Measurement and Simulation : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Kao, K. ; Verhulst, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 965-970
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) Ge~1~-~xSn~x Materials: Challenges and Applications : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Loo, R. ; Vincent, B. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 853-864
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High Ge Content SiGe Selective Processes for Manufacturing Source/Drain in the Next Generations of pMOS Transistors : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Hikavyy, A. ; Vanherle, W. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 807-814
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Orientation Dependence of Si~1~-~xC~x:P Growth and the Impact on FinFET Structures : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Tolle, J. ; Weeks, K.D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 491-498
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    High Efficiency Low Temperature Pre-epi Clean Method for Advanced Group IV epi Processing : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Machkaoutsan, V. ; Weeks, K.D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 339-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Selective Growth of Strained Ge Channel on Relaxed SiGe Buffer in Shallow Trench Isolation for High Mobility Ge Planar and Fin p-FET : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Vincent, B. ; Witters, L. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 39-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Electrical Characterization of Ge-pFETs with HfO~2/TiN Metal Gate: Review of Possible Defects Impacting the Hole Mobility : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability, and manufacturing
    Mitard, J. ; Vincent, B. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 2, S. 157-170
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Thermoelectric Measurements : Electrochemical Society
    Hogan, T. P. ; Loo, S. Y. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2003, Heft 27, S. 231-246
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High Temperature Power Factor Measurement System for Thermoelectric Materials : Electrochemical Society
    Loo, S. Y. ; Hsu, K. F. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2003, Heft 27, S. 247-256
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Quantum Tunneling for Ultra-Low-Power Scaled CMOS Deposition : Electrochemical Society; 224th ECS Meeting Abstracts 2013
    Berger, P. ; Ramesh, A. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. Conf 224 (2013), S. 2242-2242
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Tuning the Packing Motifs of Contorted Hexabenzocoronene Thin Films by Post-Deposition Processing : Electrochemical Society
    Hiszpanski, A.M. ; Bruzek, M. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. Conf 223 (2013), Heft 2, S. 813-813
    Online Konferenz
    Zugriff:
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Stress Simulations of Si- and Ge-Channel FinFETs for the 14 nm-Node and Beyond : Electrochemical Society
    Eneman, G. ; Brunco, D.P. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. Conf 223 (2013), Heft 1, S. 746-746
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Identification of Deep Levels Associated with Extended and Point Defects in GeSn Epitaxial Layers Using Dlts : Electrochemical Society
    Gupta, S. ; Simoen, E. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. Conf 223 (2013), Heft 1, S. 749-749
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Crystalline Properties and Strain Relaxation Mechanism of CVD Grown GeSn : Electrochemical Society
    Gencarelli, F. ; Vincent, B. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. 1-7 (2013), S. 3213-3213
    Online Konferenz
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    SiGe Band-to-Band Tunneling Calibration based on p-i-n Diodes: Fabrication, Measurement and Simulation : Electrochemical Society
    Kao, K. ; Verhulst, A. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. 1-7 (2013), S. 3226-3226
    Online Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    GeSn Materials: Challenges and Applications : Electrochemical Society
    Loo, R. ; Benjamin, V. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. 1-7 (2013), S. 3211-3211
    Online Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    High Ge Content SiGe Selective Processes for Manufacturing Source/Drain in the Next Generations of pMOS Transistors : Electrochemical Society
    Hikavyy, A. ; Vanherle, W. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. 1-7 (2013), S. 3204-3204
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Orientation Dependence of Si~1~-~xC~x:P Growth and the Impact on FinFET Structures : Electrochemical Society
    Tolle, J. ; Weeks, K.D. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. 1-7 (2013), S. 3160-3160
    Online Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High Efficiency Low Temperature Pre-epi Clean Method for Advanced Group IV epi Processing : Electrochemical Society
    Machkaoutsan, V. ; Weeks, K.D. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. 1-7 (2013), S. 3137-3137
    Online Konferenz
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