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    Researchers from International Business Machines Corporation Detail Findings in CMOS Technology (Yield Learning Methodologies and Failure Isolation In Ring Oscillator Circuit for Cmos Technology Research)
    In: Information Technology Newsweekly, 2020-01-14, S. 341
    Zeitungsartikel
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    Recent Findings in Solid State Electronics Described by Researchers from International Business Machines Corporation - IBM T.J. Watson Research Center (Multi-mode 60-ghz Radar Transmitter Soc In 45-nm Soi Cmos)
    In: Information Technology Newsweekly, 2020-06-02, S. 803
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Application Titled 'Iii-V Cmos Co-Integration' Published Online (USPTO 20200144123)
    In: Technology Business Journal, 2020-05-26, S. 2810
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    'Gate Stack Designs For Analog And Logic Devices In Dual Channel Si/SiGe CMOS' in Patent Application Approval Process (USPTO 20200144057)
    In: Technology Business Journal, 2020-05-26, S. 1381
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Application Titled 'Boundary Protection For Cmos Multi-Threshold Voltage Devices' Published Online (USPTO 20200051872)
    In: Technology Business Journal, 2020-03-03, S. 2291
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    'Porous Silicon Relaxation Medium For Dislocation Free Cmos Devices' in Patent Application Approval Process (USPTO 20200043811)
    In: Technology Business Journal, 2020-02-25, S. 1707
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Research Conducted at International Business Machines Corporation (IBM) Has Updated Our Knowledge about Electron Devices (InGaAs FinFETs 3-D Sequentially Integrated on FDSOI Si CMOS With Record Performance)
    In: Information Technology Newsweekly, 2020-02-04, S. 525
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Application Titled 'Multi-Metal Dipole Doping To Offer Multi-Threshold Voltage Pairs Without Channel Doping For Highly Scaling Cmos Device' Published Online (USPTO 20200020595)
    In: Technology Business Journal, 2020-02-04, S. 2711
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Gate Stack Designs For Analog And Logic Devices In Dual Channel Si/SiGe CMOS (USPTO 10,535,517)
    In: Technology Business Journal, 2020-01-28, S. 4069
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Investigators at International Business Machines Corporation - IBM T.J. Watson Research Center Detail Findings in Solid State Electronics (A 128-gb/s 1.3-pj/b Pam-4 Transmitter With Reconfigurable 3-tap Ffe In 14-nm Cmos)
    In: Information Technology Newsweekly, 2020-01-28, S. 212
    Zeitungsartikel
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    Patent Application Titled 'DIELECTRIC ISOLATION AND SiGe CHANNEL FORMATION FOR INTEGRATION IN CMOS NANOSHEET CHANNEL DEVICES' Published Online (USPTO 20190393304)
    In: Technology Business Journal, 2020-01-14, S. 1918
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS VFET Contacts With Trench Solid And Liquid Phase Epitaxy (USPTO 10,510,617)
    In: Technology Business Journal, 2019-12-31, S. 3203
    Zeitungsartikel
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    Patent Application Titled 'Multi-Metal Dipole Doping To Offer Multi-Threshold Voltage Pairs Without Channel Doping For Highly Scaling Cmos Device' Published Online (USPTO 20190371676)
    In: Technology Business Journal, 2019-12-24, S. 3512
    Zeitungsartikel
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    Patent Application Titled 'Method And Structure Of Forming Strained Channels For Cmos Device Fabrication' Published Online (USPTO 20190371797)
    In: Technology Business Journal, 2019-12-24, S. 3411
    Zeitungsartikel
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    'Source And Drain Isolation For CMOS Nanosheet With One Block Mask' in Patent Application Approval Process (USPTO 20190295899)
    In: Technology Business Journal, 2019-10-15, S. 2220
    Zeitungsartikel
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    Patent Application Titled 'Structure And Method For Multiple Threshold Voltage Definition In Advanced Cmos Device Technology' Published Online (USPTO 20190287970)
    In: Technology Business Journal, 2019-10-08, S. 3846
    Zeitungsartikel
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    Patent Application Titled 'Cmos Vfet Contacts With Trench Solid And Liquid Phase Epitaxy' Published Online (USPTO 20190279913)
    In: Technology Business Journal, 2019-10-01, S. 2406
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Fabricating Contacts Of A CMOS Structure (USPTO 10,410,926)
    In: Technology Business Journal, 2019-09-24, S. 3417
    Zeitungsartikel
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    'Improved Fully-Depleted Cmos Transistors With U-Shaped Channel' in Patent Application Approval Process (USPTO 20190267490)
    In: Technology Business Journal, 2019-09-17, S. 1273
    Zeitungsartikel
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    Findings in the Area of Sensor Research Reported from International Business Machines Corporation (Cmos-compatible Wearable Sensors Fabricated Using Controlled Spalling)
    In: Information Technology Newsweekly, 2019-09-17, S. 140
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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