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    A 40% PAE and 34 dBm Peak OIP3 CMOS Power Amplifier with Integrated Zero Power Consumption Phase Linearizer.
    Gunasegaran, Premmilaah ; Rajendran, Jagadheswaran ; et al.
    In: Journal of Circuits, Systems & Computers, Jg. 32 (2023-07-30), Heft 11, S. 1-16
    academicJournal
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    A CMOS transimpedance amplifier with broad-band and high gain based on negative Miller capacitance.
    Zhang, Jiahong ; Wang, Zhuo ; et al.
    In: Integration: The VLSI Journal, Jg. 91 (2023-07-01), S. 60-66
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of Charge Transfer Potential Barrier in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2770-2777
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Physical Insights on Current Dynamics of RESURF DeMOS Designed for High-Frequency CMOS Level Shifter Application.
    Pali, Shraddha ; Gupta, Ankur
    In: IETE Technical Review, Jg. 40 (2023-09-01), Heft 5, S. 611-620
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Area and Bandwidth Enhancement of an n + /p-Well Dot Avalanche Photodiode in 0.35 μm CMOS Technology.
    Kohneh Poushi, Seyed Saman ; Goll, Bernhard ; et al.
    In: Sensors (14248220), Jg. 23 (2023-04-01), Heft 7, S. 3403-3417
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
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    Dynamic Capacitance Variations Due to Barrier Modulation in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensor.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5202-5208
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A 2xVDD digital output buffer with gate driving stability and non-overlapping signaling control for slew-rate auto-adjustment using 16-nm FinFET CMOS process.
    Wang, Chua-Chin ; Tolentino, Lean Karlo S. ; et al.
    In: Integration: The VLSI Journal, Jg. 90 (2023-05-01), S. 245-260
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Efficient 60-GHz Power Amplifier With Adaptive AM-AM and AM-PM Distortions Compensation in 65-nm CMOS Process.
    Jung, Kyung Pil ; Son, Hyuk Su ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 68 (2020-07-01), Heft 7, S. 3045-3055
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impact of sidewall spacer on n-InGaAs devices and hybrid InGaAs/Si CMOS amplifiers in deca-nanometer regime.
    Tewari, Suchismita ; De, Suchismita ; et al.
    In: Microsystem Technologies, Jg. 26 (2020-10-01), Heft 10, S. 3077-3084
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    A CMOS Highly Linear Doherty Power Amplifier With Multigated Transistors.
    Jung, Doohwan ; Zhao, Huan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 67 (2019-05-01), Heft 5, S. 1883-1891
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    New CMOS Compatible Realizations of Grounded/Floating L, C Multiplier and FDNC Simulators.
    Kumar, Atul ; Chaturvedi, Bhartendu ; et al.
    In: Circuits, Systems & Signal Processing, Jg. 42 (2023-04-01), Heft 4, S. 1911-1939
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Dynamic Capacitance Model of a Pinned Photodiode in CMOS Image Sensors.
    Khan, Uzma ; Sarkar, Mukul
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-07-01), Heft 7, S. 2892-2898
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 28-GHz wideband power amplifier with dual-pole tuning superposition technique in 55-nm RF CMOS.
    Zhao, Yunan ; Hou, Haomin ; et al.
    In: Integration: The VLSI Journal, Jg. 88 (2023), S. 101-107
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 12.5 Gb/s 0.13‐μm CMOS inductorless transimpedance amplifier with 1 pF input capacitance for optical communications.
    Parapari, Elmira Semsar ; Parapari, Ehsan Semsar ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory & Applications, Jg. 51 (2023-02-01), Heft 2, S. 866-879
    Online academicJournal
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    Switched Substrate-Shield-Based Low-Loss CMOS Inductors for Wide Tuning Range VCOs.
    Agarwal, Pawan ; Sah, Suman Prasad ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 65 (2017-08-01), Heft 8, S. 2964-2976
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    An empirical nonlinear RF model for CMOS fet suitable for modeling the breakdown region.
    Hernández‐Díaz, I. ; Saavedra‐Gómez, H.J. ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 59 (2017-03-01), Heft 3, S. 563-567
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Research on the effect of single-event transient of an on-chip linear voltage regulator fabricated on 130 nm commercial CMOS technology.
    Zhao, Qi ; Feng ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 73 (2017-06-01), S. 116-121
    academicJournal
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    CMOS based capacitive sensor matrix for characterizing and tracking of biological cells.
    Abdelbaset, Reda ; El-Sehrawy, Yehia ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 12 (2022-08-16), Heft 1, S. 1-10
    Online academicJournal
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    A 5-GHz WLAN RF CMOS Power Amplifier With a Parallel-Cascoded Configuration and an Active Feedback Linearizer.
    Kang, Seunghoon ; Baek, Donghyun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 65 (2017-09-01), Heft 9, S. 3230-3244
    Online academicJournal
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    A 60 GHz transformer-coupled neutralized low power CMOS power amplifier.
    Chen, Bo ; Shen, Li ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 57 (2015-11-01), Heft 11, S. 2487-2491
    Online academicJournal
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